[發(fā)明專利]一種半導體的制備方法、半導體、顯示面板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611256880.4
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106601595B
• 公開（公告）日: 2019-11-26
• 發(fā)明（設計）人: 邢升陽
• 申請（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L29/16;H01L29/167;H01L29/786;C23C16/04
• 代理公司: 44280 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 鐘子敏<國際申請>=<國際公布>=<進入

1.一種半導體的制備方法，其特征在于，包括：

提供襯底基板；

利用第一掩膜板，通過化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第一濃度的第一摻雜物質(zhì)，進而在所述第一掩膜板的第一開口區(qū)形成第一摻雜非晶硅層；

利用第二掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第二濃度的第二摻雜物質(zhì)，進而在所述第二掩膜板的第二開口區(qū)形成第二摻雜非晶硅層，所述第一摻雜非晶硅層和所述第二摻雜非晶硅層共同組成所述半導體的非晶硅層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用第二掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第二濃度的第二摻雜物質(zhì)，進而在所述第二掩膜板的第二開口區(qū)形成第二摻雜非晶硅層之后進一步包括，

利用第三掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第三濃度的第二摻雜物質(zhì)，進而在所述第三掩膜板的第三開口區(qū)形成第三摻雜非晶硅層，所述第一摻雜非晶硅層、所述第二摻雜非晶硅層、所述第三摻雜非晶硅層共同組成所述半導體的非晶硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當在所述襯底基板上制備N型或P型半導體時，

若所述第二摻雜非晶硅層位于所述第一摻雜非晶硅層和所述第三摻雜非晶硅層之間，則所述第二濃度小于所述第三濃度；

若所述第三摻雜非晶硅層位于所述第一摻雜非晶硅層和所述第二摻雜非晶硅層之間，則所述第三濃度小于所述第二濃度。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，當在所述襯底基板上同時制備N型和P型半導體時，所述利用第三掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第三濃度的第二摻雜物質(zhì)，進而在所述第三掩膜板的第三開口區(qū)形成第三摻雜非晶硅層之后包括，

利用第四掩膜板，通過所述化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第四濃度的第一摻雜物質(zhì)，進而在所述第四掩膜板的第四開口區(qū)形成第四摻雜非晶硅層，所述第一摻雜非晶硅層、所述第二摻雜非晶硅層、所述第三摻雜非晶硅層、所述第四摻雜非晶硅層共同組成所述半導體的非晶硅層。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，

所述第四濃度大于第一濃度；所述第三濃度大于第二濃度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述利用第二掩膜板，通過化學氣相沉積的方法，在所述襯底基板上沉積非晶硅的同時通入第二濃度的第二摻雜物質(zhì)，進而在所述第二掩膜板的第二開口區(qū)形成第二摻雜非晶硅層，所述第一摻雜非晶硅層和所述第二摻雜非晶硅層共同組成所述半導體的非晶硅層之后包括，

對所述襯底基板上的所述非晶硅層進行退火處理；在所述非晶硅層上依次制備柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏電極；

或者，對所述襯底基板上的所述非晶硅層進行退火處理；利用準分子激光退火技術(shù)將所述非晶硅層轉(zhuǎn)化為多晶硅層；在所述多晶硅層上依次制備柵極絕緣層、柵極、層間絕緣層、源漏電極。

7.一種半導體，其特征在于，所述半導體為采用如權(quán)利要求1-6任一項所述的方法制備。

8.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求7所述的半導體。

9.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求8所述的顯示面板及背光模組。