[發(fā)明專利]表膜及其制造方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611255242.0
• 申請日: 2016-12-30
• 公開（公告）號: CN106997847A
• 公開（公告）日: 2017-08-01
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬正鑫;吳小真;楊棋銘;陳其賢;林志誠;林云躍
• 申請（專利權(quán)）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/033
• 分類號: H01L21/033
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司11287
• 代理人: 路勇

技術(shù)領(lǐng)域

本揭露涉及一種表膜及其制造方法。

背景技術(shù)

使用極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光輻射所圖案化的小尺寸特征是指光刻設(shè)備內(nèi)的任何顆粒污染可對于所制造的集成電路具有顯著有害的影響。例如，如果在圖案化過程中，顆粒存在于圖案化裝置上，那么其可造成在襯底上形成所述顆粒的圖像。已知使用表膜薄膜(pellicle film)保護(hù)圖案化裝置免于顆粒污染，因而在一些顆粒存在下防止光刻設(shè)備性能退化。然而，為了形成EUV輻射足以穿透而不降低光刻設(shè)備的性能的表膜薄膜，每一表膜薄膜必須由極薄的薄膜制成。所述極薄的薄膜還需要對于EUV光具有高度的化學(xué)穩(wěn)定性。

發(fā)明內(nèi)容

本揭露的實(shí)施例提供一種制造表膜的方法，包含提供支撐襯底；形成氧化物層于支撐襯底上方；形成金屬層于氧化物層上方；形成石墨烯層于金屬層上方；以及去除支撐襯底與氧化物層的至少一部分。

附圖說明

為協(xié)助讀者達(dá)到最佳理解效果，建議在閱讀本揭露時同時參考附件圖式及其詳細(xì)文字?jǐn)⑹稣f明。請注意為遵循業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)作法，本專利說明書中的圖式不一定按照正確的比例繪制。在某些圖式中，尺寸可能刻意放大或縮小，以協(xié)助讀者清楚了解其中的討論內(nèi)容。

圖1到7是根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例說明各種階段所制造的表膜的剖面示意圖。

圖8到13是根據(jù)本揭露的一些實(shí)施例說明各種階段所制造的表膜的剖面示意圖。

具體實(shí)施方式

本揭露提供了數(shù)個不同的實(shí)施方法或?qū)嵤├捎糜趯?shí)現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施例的不同特征。為簡化說明起見，本揭露也同時描述了特定零組件與布置的范例。請注意提供這些特定范例的目的僅在于示范，而非予以任何限制。舉例來說，在以下說明第一特征如何在第二特征上或上方的敘述中，可能會包含某些實(shí)施例，其中第一特征與第二特征為直接接觸，而敘述中也可能包含其它不同實(shí)施例，其中第一特征與第二特征中間另有其它特征，以致于第一特征與第二特征并不直接接觸。此外，本揭露中的各種范例可能使用重復(fù)的參考數(shù)字和/或文字注記，以使文件更加簡單化和明確，這些重復(fù)的參考數(shù)字與注記不代表不同的實(shí)施例與/或布置之間的關(guān)聯(lián)性。

另外，本揭露在使用與空間相關(guān)的敘述詞匯，如“在...之下”，“低”，“下”，“上方”，“之上”，“下”，“頂”，“底”和類似詞匯時，為便于敘述，其用法均在于描述圖式中一個元件或特征與另一個(或多個)元件或特征的相對關(guān)系。除了圖式中所顯示的角度方向外，這些空間相對詞匯也用來描述所述裝置在使用中以及操作時的可能角度和方向。所述裝置的角度方向可能不同(旋轉(zhuǎn)90度或其它方位)，而在本揭露所使用的這些空間相關(guān)敘述可以同樣方式加以解釋。

盡管本揭露的廣范圍所主張的數(shù)值范圍與參數(shù)是約略值，但在特定范例中所闡述的數(shù)值盡可能精準(zhǔn)。然而，任何數(shù)值本質(zhì)上含有在個別測試測量中得到的標(biāo)準(zhǔn)偏差所必然造成的一些誤差。再者，在本文中，“約”通常是指在給定值或范圍的10％、5％、1％或0.5％內(nèi)。或者，“約”是指在所述技藝中具有通常技術(shù)者可接受的平均的標(biāo)準(zhǔn)偏差內(nèi)。在操作/工作范例之外，除非特別指明，否則本文所揭露的所有的數(shù)值范圍、數(shù)量、值、與比例，例如材料的量、時間期間、溫度、操作條件、數(shù)量的比例、及其類似者應(yīng)被理解為受到“約”字修飾。據(jù)此，除非有相反的指示，本揭露以及所附隨的權(quán)利要求書所闡述的數(shù)值參數(shù)是約略數(shù)，其可視需要而變化。至少，應(yīng)根據(jù)所報(bào)導(dǎo)的有意義的位數(shù)數(shù)目并且使用通常的進(jìn)偽技術(shù)，解讀各個數(shù)值參數(shù)。本文中，范圍可表示為從一端點(diǎn)到另一端點(diǎn)，或是在兩個端點(diǎn)之間。除非特別聲明，否則本文揭露的所有范圍皆包括端點(diǎn)。

本揭露涉及表膜的薄膜堆棧或本揭露所述的表膜及其制造方法。本揭露所述的表膜薄膜是由多層堆棧形成，用于提供對于顆粒污染的勢壘，并且使用時，表膜薄膜的周圍部分附接到表膜框架(pellicle frame)。在一些實(shí)施例中，表膜薄膜為矩形，并且具有矩形外形，具有矩形開口于其中心。一特定應(yīng)用的使用而選擇表膜薄膜的尺寸。例如，表膜薄膜可經(jīng)設(shè)計(jì)以保護(hù)圖案化面積約110mm乘以145mm的網(wǎng)線(reticle)。此表膜薄膜可具有大于所述網(wǎng)線的表膜框架，在中心部分具有至少與所述網(wǎng)線一樣大的開口。

本揭露的概念是提供包含石墨烯(graphene)層的表膜薄膜。相較于用于制造表膜薄膜的現(xiàn)有材料，所述石墨烯層具有優(yōu)選的機(jī)械與熱性能。特別地，石墨烯層的優(yōu)點(diǎn)為特性優(yōu)異，例如楊氏模量(Young's modulus)、最終強(qiáng)度、熱傳導(dǎo)性、以及放射率等級(emissivity level)。