[發明專利]焊墊下電路結構及其制造方法在審
| 申請號: | 201611254790.1 | 申請日: | 2016-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN108269776A | 公開(公告)日: | 2018-07-10 |
| 發明(設計)人: | 張榮麟 | 申請(專利權)人: | 應廣科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L23/488 | 分類號: | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219 | 代理人: | 張一軍;趙靜 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 金屬層 元件層 連接層 打線接合 工藝步驟 焊墊 電連接金屬 電路結構 電連接 焊墊層 電層 焊球 基板 制造 電路 并用 損害 | ||
1.一種焊墊下電路CUP結構,其特征在于,包含:
一元件層,形成于一基板上,包括多個元件;
至少一金屬層,形成于該元件層上;
多個連接層,形成于該金屬層與該元件層間,與該至少一金屬層間,用以電連接該金屬層與該元件層,并用以電連接該至少一金屬層;以及
一焊墊層,形成于相對最上方的該連接層上,用以連接一焊球;
其中,該元件層包含一禁止區,該禁止區不包括任何該元件,且該禁止區的范圍根據一打線接合的工藝步驟中的至少一參數、該焊電層的厚度、該金屬層的厚度、或該連接層的厚度而定義,用以避免該打線接合的工藝步驟損害該多個元件;
其中,該元件包括一接面二極管、一金氧半MOS晶體管或/且一雙極晶體管。
2.如權利要求1所述的焊墊下電路結構,其中,該打線接合的工藝步驟中的參數包括焊接時間、焊接壓力、焊接功率、焊接溫度、與焊接線材。
3.如權利要求2所述的焊墊下電路結構,其中,該禁止區由俯視圖視之,為以該CUP結構的由俯視圖視之的中心點為中心的一方形或圓形區域。
4.如權利要求1所述的焊墊下電路結構,其中,該焊球由俯視圖視之,完全位于該禁止區中。
5.如權利要求1所述的焊墊下電路結構,其中,還包含多個介電層,分別形成于該元件層與該至少一金屬層間、該至少一金屬層間、以及該多個連接層與該焊墊層間。
6.一種焊墊下電路CUP結構制造方法,其特征在于,包含:
形成一元件層于一基板上,其中該元件層包括多個元件;
形成至少一金屬層于該元件層上;
形成多個連接層于該金屬層與該元件層間,與該至少一金屬層間,用以電連接該金屬層與該元件層,并用以電連接該至少一金屬層;以及
形成一焊墊層于相對最上方的該連接層上,用以連接一焊球;
其中,該元件層包含一禁止區,該禁止區不包括任何該元件,且該禁止區的范圍根據一打線接合的工藝步驟中的至少一參數、該焊電層的厚度、該金屬層的厚度、或該連接層的厚度而定義,用以避免該打線接合的工藝步驟損害該多個元件;
其中,該元件包括一接面二極管、一金氧半MOS晶體管或/且一雙極晶體管。
7.如權利要求6所述的焊墊下電路結構制造方法,其中,該打線接合的工藝步驟中的參數包括焊接時間、焊接壓力、焊接功率、焊接溫度、與焊接線材。
8.如權利要求7所述的焊墊下電路結構制造方法,其中,該禁止區由俯視圖視之,為以該CUP結構的由俯視圖視之的中心點為中心的一方形或圓形區域。
9.如權利要求6所述的焊墊下電路結構制造方法,其中,該焊球由俯視圖視之,完全位于該禁止區中。
10.如權利要求6所述的焊墊下電路結構制造方法,其中,還包含:分別形成一介電層于該元件層與該至少一金屬層間、該至少一金屬層間、以及該多個連接層與該焊墊層間。
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