[發(fā)明專利]一種降低硅片體內(nèi)復(fù)合的新型擴(kuò)散工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201611253790.X
• 申請(qǐng)日: 2016-12-30
• 公開（公告）號(hào): CN106783561A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 錢小芳
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中建材浚鑫科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/223
• 分類號(hào): H01L21/223;H01L31/18
• 代理公司: 南京蘇科專利代理有限責(zé)任公司32102
• 代理人: 姚姣陽

1.一種降低硅片體內(nèi)復(fù)合的新型擴(kuò)散工藝，其特征在于：包括如下步驟，

S1、將硅片放入擴(kuò)散爐中，升溫到750℃—800℃，爐中通入2L/min的吹掃氮?dú)猓?/p>

S2、氧化：通入氧氣和吹掃氮?dú)猓掷m(xù)時(shí)間5-10分鐘，在硅片表面形成一層氧化層；

S3、通源：在擴(kuò)散爐管中通入吹掃氮?dú)猓龃祾叩獨(dú)獾耐繛?L/min-15L/min，并通入擴(kuò)散氮?dú)夂脱鯕獾幕旌蠚怏w，保持溫度是750℃—800℃，持續(xù)時(shí)間10-25分鐘；

S4、升溫推結(jié)：通入氧氣和吹掃氮?dú)猓郎刂?50℃—860℃之間，持續(xù)時(shí)間是10-15分鐘；

S5、降溫冷卻：保持通入氧氣和吹掃氮?dú)猓瑴囟冉档?50℃—800℃之間，持續(xù)時(shí)間是20—35分鐘；

S6、出爐，出爐溫度設(shè)定為750℃，爐中通入2L/min的吹掃氮?dú)狻?/p>

2.如權(quán)利要求1所述的一種降低硅片體內(nèi)復(fù)合的新型擴(kuò)散工藝，其特征在于：所述S2中氧氣的通量為0.05 L /min—0.1 L /min ，吹掃氮?dú)獾耐繛?L/min-15L/min。

3.如權(quán)利要求1所述的一種降低硅片體內(nèi)復(fù)合的新型擴(kuò)散工藝，其特征在于：所述S3中擴(kuò)散氮?dú)夂脱鯕怏w積比為3：5。

4.如權(quán)利要求1所述的一種降低硅片體內(nèi)復(fù)合的新型擴(kuò)散工藝，其特征在于：所述S4中氧氣的通量為1L/min—2L/min，所述吹掃氮?dú)獾猛繛?L/min—15L/min。

5.如權(quán)利要求1所述的一種降低硅片體內(nèi)復(fù)合的新型擴(kuò)散工藝，其特征在于：所述S5中氧氣通量為1L/min—2L/min，所述吹掃氮?dú)馔繛?L/min—15L/min。