[發(fā)明專利]一種FLASH芯片的測(cè)試系統(tǒng)在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611250995.2 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106653097A | 公開(kāi)(公告)日: | 2017-05-10 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 趙軍委 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 記憶科技(深圳)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | G11C29/56 | 分類(lèi)號(hào): | G11C29/56 |
| 代理公司: | 廣東廣和律師事務(wù)所44298 | 代理人: | 葉新民 |
| 地址: | 518057 廣東省深圳市南山區(qū)蛇口后海大道東角頭廠房D*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 flash 芯片 測(cè)試 系統(tǒng) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件測(cè)試領(lǐng)域,尤其涉及FLASH芯片的測(cè)試系統(tǒng)。
背景技術(shù)
FLASH芯片的測(cè)試環(huán)節(jié)是FLASH芯片生產(chǎn)中非常重要的環(huán)節(jié),測(cè)功能測(cè)試、高溫老化測(cè)試和等級(jí)篩選是其中幾個(gè)重要測(cè)試環(huán)節(jié)。目前業(yè)界主要依托先進(jìn)的設(shè)備單獨(dú)對(duì)這幾個(gè)測(cè)試環(huán)節(jié)進(jìn)行測(cè)試。這些測(cè)試設(shè)備主要依靠的是國(guó)外半導(dǎo)體設(shè)備廠家提供,價(jià)格昂貴,且這些環(huán)節(jié)都是獨(dú)立設(shè)置,需要單獨(dú)安排工位,因此整個(gè)測(cè)試周期較長(zhǎng),效率低的問(wèn)題,無(wú)法實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化控制。
發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)以上缺陷,本發(fā)明目的在于如何提升FLASH芯片測(cè)試的效率和可靠性。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種FLASH芯片的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于包括主控服務(wù)器、老化柜和測(cè)試控制板,所述主控服務(wù)器與測(cè)試控制板相連接,所述老化柜上設(shè)有測(cè)試架,所述測(cè)試架上設(shè)有多個(gè)測(cè)試插口,待測(cè)試FLASH放置到測(cè)試板上后,將測(cè)試板插入測(cè)試插口,所述測(cè)試插口上設(shè)有與所述測(cè)試板相匹配的電連接觸點(diǎn);測(cè)試系統(tǒng)可分時(shí)對(duì)待測(cè)試FLASH進(jìn)行功能測(cè)試、老化測(cè)試和篩選測(cè)試;所述的功能測(cè)試過(guò)程如下:所述主控服務(wù)器將預(yù)先設(shè)置好的測(cè)試指令下發(fā)到測(cè)試控制板,測(cè)試控制板根據(jù)接收到的測(cè)試指令再下發(fā)控制命令到各個(gè)測(cè)試板,控制測(cè)試板按照主控服務(wù)器的要求控制對(duì)待測(cè)試FLASH進(jìn)行功能測(cè)試;所述老化測(cè)試具體為:所述主控服務(wù)器根據(jù)測(cè)試要求,控制老化柜的溫控系統(tǒng),控制老化柜按照要求的溫度曲線控制老化柜的溫度,對(duì)待測(cè)試FLASH進(jìn)行老化測(cè)試;所述篩選測(cè)試,在功能測(cè)試和老化測(cè)試過(guò)程中同時(shí)采集測(cè)試過(guò)程的測(cè)試數(shù)據(jù),并將該數(shù)據(jù)反饋給到主控服務(wù)器,同時(shí)將待測(cè)試FLASH的各個(gè)電氣參數(shù)數(shù)據(jù)反饋給到主控服務(wù)器,主控服務(wù)器根據(jù)反饋的數(shù)據(jù)對(duì)待測(cè)試FLASH進(jìn)行自動(dòng)篩選和標(biāo)識(shí)。
所述的FLASH芯片的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于所述的主控服務(wù)器上還設(shè)有圖形化狀態(tài)顯示模塊和操作模塊,所述圖形化狀態(tài)顯示模塊與老化柜的測(cè)試架相匹配,實(shí)時(shí)根據(jù)老化架中的待測(cè)試FLASH進(jìn)行更新,通過(guò)操作圖形化狀態(tài)顯示模塊中的圖像模塊可達(dá)到操作圖像模塊顯示的實(shí)際待測(cè)試FLASH所在的測(cè)試板。
所述的FLASH芯片的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于主控服務(wù)器通過(guò)有線或無(wú)線數(shù)據(jù)線與測(cè)試控制板相連;所述測(cè)試控制板通過(guò)I2C或串口協(xié)議與測(cè)試板相連。
根據(jù)權(quán)利要求3所述的FLASH芯片的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于所述測(cè)試板上設(shè)有多個(gè)待測(cè)試FLASH的放置座。
本發(fā)明通過(guò)對(duì)現(xiàn)有測(cè)試系統(tǒng)進(jìn)行優(yōu)化合并,提高了FLASH測(cè)試的效率,減少了測(cè)試過(guò)程中對(duì)FLASH測(cè)試的移動(dòng),并提供了圖形化的操作界面和結(jié)果顯示界面。
附圖說(shuō)明
圖1是一種FLASH芯片的測(cè)試系統(tǒng)框圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
圖1是一種FLASH芯片的測(cè)試系統(tǒng)框圖,F(xiàn)LASH芯片的測(cè)試系統(tǒng),其特征在于包括主控服務(wù)器、老化柜和測(cè)試控制板,主控服務(wù)器與測(cè)試控制板通過(guò)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)接器相連接,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)接器可以是交換機(jī)、hub。老化柜上設(shè)有測(cè)試架,測(cè)試架上設(shè)有多個(gè)測(cè)試插口,待測(cè)試FLASH放置到測(cè)試板上后,將測(cè)試板插入測(cè)試插口,測(cè)試插口上設(shè)有與所述測(cè)試板相匹配的電連接觸點(diǎn);測(cè)試系統(tǒng)可分時(shí)對(duì)待測(cè)試FLASH進(jìn)行功能測(cè)試、老化測(cè)試和篩選測(cè)試;功能測(cè)試過(guò)程如下:主控服務(wù)器將預(yù)先設(shè)置好的測(cè)試指令或測(cè)試用例集下發(fā)到測(cè)試控制板,測(cè)試用例集可以是單獨(dú)設(shè)置,也可以是直接設(shè)置在主控服務(wù)器中。測(cè)試人員可以通過(guò)PC終端通過(guò)網(wǎng)絡(luò)連接到主控服務(wù)器,操控主控服務(wù)器,配置測(cè)試指令或查看測(cè)試結(jié)果。測(cè)試控制板根據(jù)接收到的測(cè)試指令再下發(fā)控制命令到各個(gè)測(cè)試板,控制測(cè)試板按照主控服務(wù)器的要求控制對(duì)待測(cè)試FLASH進(jìn)行功能測(cè)試;老化測(cè)試具體為:主控服務(wù)器根據(jù)測(cè)試要求,控制老化柜的溫控系統(tǒng),控制老化柜按照要求的溫度曲線控制老化柜的溫度,對(duì)待測(cè)試FLASH進(jìn)行老化測(cè)試,測(cè)試架上的測(cè)試插口由供電模塊進(jìn)行功能,供電模塊為各個(gè)測(cè)試插口單獨(dú)提供可單獨(dú)控制開(kāi)關(guān)的供電線路,主控服務(wù)器可實(shí)現(xiàn)分別控制各個(gè)測(cè)試板的通斷電;篩選測(cè)試,在功能測(cè)試和老化測(cè)試過(guò)程中同時(shí)采集測(cè)試過(guò)程的測(cè)試數(shù)據(jù),并將該數(shù)據(jù)反饋給到主控服務(wù)器,同時(shí)將待測(cè)試FLASH的各個(gè)電氣參數(shù)數(shù)據(jù)反饋給到主控服務(wù)器,主控服務(wù)器根據(jù)反饋的數(shù)據(jù)對(duì)待測(cè)試FLASH進(jìn)行自動(dòng)篩選和標(biāo)識(shí)。
以上所揭露的僅為本發(fā)明一種實(shí)施例而已,當(dāng)然不能以此來(lái)限定本之權(quán)利范圍,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述實(shí)施例的全部或部分流程,并依本發(fā)明權(quán)利要求所作的等同變化,仍屬于本發(fā)明所涵蓋的范圍。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于記憶科技(深圳)有限公司,未經(jīng)記憶科技(深圳)有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
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