[發明專利]超結半導體器件的制備方法

在審

• 申請號: 201611250024.8
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN108258045A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 鐘圣榮;王榮華
• 申請（專利權）人: 無錫華潤華晶微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京博思佳知識產權代理有限公司 11415
• 代理人: 林祥

1.一種超結半導體器件的制備方法，其特征在于，包括：

提供N型襯底；

在所述N型襯底上制備超結結構，并將所述超結結構入庫存儲；

獲取預制的所述超結結構，在所述超結結構上進行表面DMOS的制備。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述N型襯底上制備超結結構，包括：

在所述N型襯底上層疊制備多個導電類型摻雜本體；

經過高溫處理，以使所述多個導電類型摻雜本體內的不同雜質交替擴散。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述在所述N型襯底上制備超結結構，還包括：

在頂層的所述導電類型摻雜本體上生長N型摻雜層。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，制備所述導電類型摻雜本體，包括：

生長N型外延層；

在所述N型外延層上印刷光刻膠，并利用光刻版對所述N型外延層進行光刻，以使所述N型外延層上構成設定的曝光圖形；

在所述曝光圖形內注入P型雜質，并去除光刻膠。

5.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述N型襯底的厚度為500μm～700μm，電阻率為0.001Ω.cm～0.02Ω.cm。

6.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在所述N型襯底上制備超結結構，包括：

在所述N型襯底上生長N型外延層；

在所述N型外延層上生長氧化層；

在所述氧化層上印刷光刻膠，并利用光刻版對所述N型外延層進行光刻，以使N型外延層上構成設定的曝光圖形；

對所述曝光圖形進行深槽刻蝕；

在深槽內填充P型摻雜層，并對所述P型摻雜層的表面進行化學機械拋光處理。

7.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述在所述N型襯底上制備超結結構，還包括：

在所述N型外延層及所述P型摻雜層上生長N型摻雜層。

8.根據權利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述對所述曝光圖形進行深槽蝕刻，包括：

腐蝕所述曝光圖形內的氧化層；

去除光刻膠；

通過硅刻蝕以形成所述深槽。

9.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述深槽的深度為10μm～50μm。

10.根據權利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述N型摻雜層的厚度為4μm～6μm。