[發明專利]封裝結構及其制備方法

有效

• 申請號: 201611249829.0
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106847714B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發明（設計）人: 李鋼
• 申請（專利權）人: 潮州三環（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟

本發明涉及一種封裝結構及其制備方法。一種封裝結構，包括：第一封裝元件，包括：陶瓷基座，所述陶瓷基座具有連接面，所述陶瓷基座形成有自所述連接面凹陷的收容槽；連接層，印刷于所述連接面，連接層的材料選自鎢、鉬及錳中的至少一種；鎳層，層疊于所述連接層；及金層，層疊于所述鎳層；第二封裝元件，能夠蓋設于所述陶瓷基座上且封閉所述收容槽，所述第二封裝元件由可伐合金制成。上述封裝結構能降低封焊開裂率。

技術領域

本發明涉及一種封裝結構及其制備方法。

背景技術

近年來，隨著各種各樣的電子產品在工業、農業、國防和日常生活中的廣泛應用，促使電子元器件封裝技術達到高速發展。同時，伴隨著電子產品的高性能、多功能、高可靠、小型化、薄型化、便捷化的發展，其對電子元器件封裝的要求也越來越高，更好、更輕、更薄、更好的封裝密度、更好的電性能和熱性能、更高的可靠性、更低的價格都是電子元器件封裝行業追求的目標。

傳統的封裝結構，包括陶瓷基座及金屬蓋板，陶瓷基座的連接面上形成有金屬層，金屬蓋板通過焊接至金屬層與陶瓷基座固接封裝。然而，金屬與陶瓷基座的熱膨脹系數相差太大，從而容易引起封焊開裂。

發明內容

基于此，有必要提供一種能降低封焊開裂率的封裝結構及其制備方法。

一種封裝結構，包括：

第一封裝元件，包括：

陶瓷基座，所述陶瓷基座具有連接面，所述陶瓷基座形成有自所述連接面凹陷的收容槽；

連接層，印刷于所述連接面，所述連接層的材料為鎢或者鉬錳合金；

鎳層，層疊于所述連接層；及

金層，層疊于所述鎳層；

第二封裝元件，所述第二封裝元件為板狀且能夠蓋設于所述陶瓷基座上以封閉所述收容槽，所述第二封裝元件由可伐合金制成。

上述封裝結構，通過在陶瓷基座的連接面印刷連接層，之后再在連接層表面依次設置鎳層及金層，連接層與陶瓷的結合力較佳，再層疊鎳層及金層可以得到與陶瓷基座結合力較好的金屬層，使用時將可伐合金制成的第二封裝元件焊接固定至金層，可伐合金與陶瓷基座的熱膨脹系數相近，可以消除因熱膨脹系數差別大引起的應力開裂等問題，能降低封焊開裂率。

在其中一個實施例中，所述可伐合金為鐵鈷鎳合金；及/或，所述陶瓷基座的材料為氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷。

在其中一個實施例中，所述連接層的厚度為10微米～50微米。

在其中一個實施例中，所述鎳層的厚度為1微米～12微米；及/或，所述金層的厚度為0.4微米～1微米。

另一種封裝結構，包括：

第一封裝元件，包括：

陶瓷基座，所述陶瓷基座具有連接面，所述陶瓷基座形成有自所述連接面凹陷的收容槽；

連接層，印刷于所述連接面，所述連接層的材料為鎢或者鉬錳合金；

鎳層，層疊于所述連接層；及

金層，層疊于所述鎳層；

待密封元件，收容在所述收容槽中；及

第二封裝元件，所述第二封裝元件為板狀，且與所述陶瓷基座的金層焊接固定以封閉所述收容槽，所述第二封裝元件由可伐合金制成。

在其中一個實施例中，所述可伐合金為鐵鈷鎳合金；及/或，所述陶瓷基座的材料為氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷。

上述的封裝結構的制備方法，包括以下步驟：