[發(fā)明專利]封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611249829.0
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106847714B
• 公開（公告）日: 2019-08-09
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李鋼
• 申請（專利權(quán)）人: 潮州三環(huán)（集團）股份有限公司
• 主分類號: H01L21/56
• 分類號: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/48;H01L21/60
• 代理公司: 廣州華進聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 44224
• 代理人: 生啟

1.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一封裝元件，包括：

陶瓷基座，所述陶瓷基座具有連接面，所述陶瓷基座形成有自所述連接面凹陷的收容槽；

連接層，印刷于所述連接面，所述連接層的材料為鎢；

鎳層，層疊于所述連接層遠(yuǎn)離所述連接面的一側(cè)上；及

金層，層疊于所述鎳層遠(yuǎn)離所述連接層的一側(cè)上；

第二封裝元件，所述第二封裝元件為板狀且能夠蓋設(shè)于所述陶瓷基座上的所述金層，所述第二封裝元件與所述金層通過激光封焊連接以封閉所述收容槽，所述第二封裝元件由可伐合金制成，其中，所述可伐合金為鐵鈷鎳合金。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陶瓷基座的材料為氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述連接層的厚度為10微米～50微米。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鎳層的厚度為1微米～12微米；及/或，所述金層的厚度為0.4微米～1.0微米。

5.一種封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

第一封裝元件，包括：

陶瓷基座，所述陶瓷基座具有連接面，所述陶瓷基座形成有自所述連接面凹陷的收容槽；

連接層，印刷于所述連接面，所述連接層的材料為鎢；

鎳層，層疊于所述連接層遠(yuǎn)離所述連接面的一側(cè)上；及

金層，層疊于所述鎳層遠(yuǎn)離所述連接層的一側(cè)上；

待密封元件，收容在所述收容槽中；及

第二封裝元件，所述第二封裝元件為板狀，且與所述陶瓷基座的金層焊接固定以封閉所述收容槽，所述第二封裝元件由可伐合金制成，所述可伐合金為鐵鈷鎳合金；

所述封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，包括以下步驟：

將陶瓷漿料流延成型制備陶瓷基座，所述陶瓷基座具有連接面，所述陶瓷基座形成有自所述連接面凹陷的收容槽；

在所述連接面表面絲網(wǎng)印刷連接層漿料，所述連接層漿料為鎢金屬漿料或者鉬錳金屬漿料；

對絲網(wǎng)印刷鎢漿料后的陶瓷基座進行高溫共燒處理在所述陶瓷基座的連接面形成連接層；

依次在所述連接層的表面電鍍制備鎳層及金層；

將所述待密封元件收容在所述收容槽內(nèi)，并將所述第二封裝元件蓋設(shè)于所述陶瓷基座，所述第二封裝元件與所述金層貼合；及

對所述第二封裝元件與所述金層進行激光封焊。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述陶瓷基座的材料為氧化鋁陶瓷或氮化鋁陶瓷。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述高溫共燒處理的溫度為1200℃～1650℃，所述高溫共燒處理的時間為20小時～23小時。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述對所述第二封裝元件與所述金層進行激光封焊的步驟中：所述激光封焊在保護性氣體氛圍下進行；焊接速度為100mm/min～300mm/min；激光峰值功率為0.3KW～7KW，脈沖寬度為2ms～10ms，脈沖重復(fù)頻率為10Hz～30Hz，離焦量為-5mm～4.2mm。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，其特征在于，所述陶瓷漿料以質(zhì)量份數(shù)計包括85份～95份的陶瓷粉，5份～9份的粘結(jié)劑及45份～65份的溶劑；及/或，所述鎢漿料以質(zhì)量份數(shù)計包括85份～95份的W，4份～8份的TiO，0.5份～1.0份的CaO及3份～6份的Al₂O₃。