[發(fā)明專利]用于形成色阻層、黑矩陣的拼接單元光罩

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611249485.3
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN107065428B
• 公開（公告）日: 2021-01-15
• 發(fā)明（設計）人: 應見見;杜鵬
• 申請（專利權）人: TCL華星光電技術有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G02F1/1335
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產(chǎn)權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰

本發(fā)明公開了一種用于形成色阻層的拼接單元光罩及用于黑矩陣的拼接單元光罩，屬于顯示技術領域，解決了現(xiàn)有的拼接曝光技術存在易產(chǎn)生拼接斑紋的技術問題。該用于形成色阻層的拼接單元光罩，包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域；所述透光區(qū)域對應于色阻層的去除區(qū)域，所述不透光區(qū)域對應于色阻層的保留區(qū)域；所述拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區(qū)域，所述拼接重疊區(qū)域位于黑矩陣區(qū)域之內。

技術領域

本發(fā)明涉及顯示技術領域，具體的說，涉及一種用于形成色阻層、黑矩陣的拼接單元光罩。

背景技術

隨著顯示技術的發(fā)展，液晶顯示屏已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。液晶顯示屏具有高空間利用率、低功耗、無輻射以及低電磁干擾等優(yōu)越特性，因此在電視、手機、平板電腦等信息溝通工具中得到廣泛使用。

隨著人們對大尺寸顯示的青睞，大尺寸液晶面板的需求不斷增加，但受限于光罩尺寸，大于光罩尺寸的液晶面板在制作過程中需使用拼接曝光技術。拼接光罩時，拼接斑紋(mura)一直是關鍵問題。馬賽克(Mosaic)拼接是一種常用的光罩拼接技術，多用于色阻層制程中層別的拼接。以馬賽克拼接為例，為防止曝光對位誤差及制程因素導致拼接圖案(Pattern)不完整，設計圖案時，拼接的圖案間需要有重復區(qū)域。

如圖1所示，現(xiàn)有的馬賽克拼接光罩設計中，拼接處光罩上的圖案設計為互補的圖案，拼接后成為一個完整的圖案。在拼接光罩設計時，為防止曝光對位誤差導致拼接圖案不完整，馬賽克拼接區(qū)的圖案會在拼接方向上多設計5μm左右，拼接曝光時就會該區(qū)域就會重復曝光。重復曝光的區(qū)域會導致拼接斑紋現(xiàn)象。

現(xiàn)有的拼接分割方法中存在較多的重復區(qū)域，曝光時該重復區(qū)域會重復曝光，會導致該區(qū)域的曝光量與其它正常區(qū)域的曝光量存在差異，因此易產(chǎn)生拼接斑紋。

發(fā)明內容

本發(fā)明的目的在于提供一種用于形成色阻層、黑矩陣的拼接單元光罩，以解決現(xiàn)有的拼接曝光技術存在易產(chǎn)生拼接斑紋的技術問題。

本發(fā)明提供一種用于形成色阻層的拼接單元光罩，所述拼接單元光罩包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域；

所述透光區(qū)域對應于色阻層的去除區(qū)域，所述不透光區(qū)域對應于色阻層的保留區(qū)域；

所述拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區(qū)域，所述拼接重疊區(qū)域位于黑矩陣區(qū)域之內。

進一步的是，所述拼接重疊區(qū)域設置于所述拼接單元光罩的上邊緣和下邊緣，且沿橫向延伸；

所述不透光區(qū)域沿縱向延伸。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域中采用馬賽克拼接圖案。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域的寬度為10至15微米。

本發(fā)明還提供一種用于形成黑矩陣的拼接單元光罩，所述拼接單元光罩包括透光區(qū)域和不透光區(qū)域；

所述透光區(qū)域對應于像素單元的開口區(qū)域，所述不透光區(qū)域對應于像素單元的黑矩陣區(qū)域；

所述拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區(qū)域，所述拼接重疊區(qū)域跨越至少兩個像素單元的開口區(qū)域。

在一種實施方式中，所述黑矩陣的圖形為無數(shù)據(jù)線黑矩陣圖形。

在另一種實施方式中，所述黑矩陣的圖形覆蓋掃描線、數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管。

進一步的是，所述拼接重疊區(qū)域跨越四個像素單元的開口區(qū)域；

所述四個像素單元分別位于相鄰的兩行兩列中。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域中采用馬賽克拼接圖案。

優(yōu)選的是，所述拼接重疊區(qū)域的寬度為10至15微米。