[發明專利]用于形成色阻層、黑矩陣的拼接單元光罩有效
| 申請號： | 201611249485.3 | 申請日： | 2016-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN107065428B | 公開（公告）日： | 2021-01-15 |
| 發明（設計）人： | 應見見;杜鵬 | 申請（專利權）人： | TCL華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G03F1/00 | 分類號： | G03F1/00;G02F1/1335 |
| 代理公司： | 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304 | 代理人： | 孫偉峰 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 形成 色阻層 矩陣 拼接 單元 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于形成黑矩陣的拼接單元光罩，其特征在于，所述拼接單元光罩包括透光區域和不透光區域，所述黑矩陣的圖形覆蓋掃描線、數據線和薄膜晶體管；
所述透光區域對應于像素單元的開口區域，所述不透光區域對應于像素單元的黑矩陣區域；
所述拼接單元光罩的邊緣設置有拼接重疊區域，所述拼接重疊區域跨越四個像素單元的開口區域；所述四個像素單元分別位于相鄰的兩行兩列中。
2.根據權利要求1所述的拼接單元光罩，其特征在于，所述黑矩陣的圖形為無數據線黑矩陣圖形。
3.根據權利要求1所述的拼接單元光罩，其特征在于，所述拼接重疊區域中采用馬賽克拼接圖案。
4.根據權利要求1至3任一項所述的拼接單元光罩，其特征在于，所述拼接重疊區域的寬度為10至15微米。
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G03 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準或測試的特殊涂層或標記；其制備
