[發明專利]一種半導體用涂布機及中心測校方法

有效

• 申請號: 201611249471.1
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106601647B
• 公開（公告）日: 2020-02-14
• 發明（設計）人: 吳謙國
• 申請（專利權）人: 南通通富微電子有限公司
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67;G03F7/16
• 代理公司: 44280 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)
• 代理人: 鐘子敏

本發明公開了一種半導體用涂布機及中心測校方法，涂布機包括：涂布平臺，用于放置標定樣品，其中標定樣品至少兩個位置分別設置可改變標記物；裝載設備，用于按照涂布機的預設放片參數將標定樣品放置于涂布平臺上；標記修改設備，與涂布機的旋轉軸距離相對固定，用于在涂布機旋轉涂布平臺上的標定樣品時，對可改變標記物進行修改；檢測設備，用于檢測所有可改變標記物的被修改位置與標定樣品相應邊緣之間的距離；計算設備，用于通過各個對應可改變標記物的距離得到涂布機中心的偏移量；校正設備用于當偏移量超過閾值范圍時，根據偏移量調整涂布機的預設放片參數。通過上述方式，本發明能夠提高半導體用涂布機中心的精確性。

技術領域

本發明涉及半導體領域，特別是涉及一種半導體用涂布機及中心測校方法。

背景技術

在半導體制程中包括在晶圓上形成微米厚度等級的光阻層，通常采取的方式是利用涂布機以旋轉離心的方式涂布上去。該方式對涂布機設備的中心要求非常高，一旦中心出現異常，光阻層厚度不均勻，半導體產品需進行返工處理，進而使得生產效率降低。

發明內容

本發明主要解決的技術問題是提供一種半導體用涂布機及中心測校方法，能夠提高半導體用涂布機中心的精確性。

為解決上述技術問題，本發明采用的一個技術方案是：提供一種半導體用涂布機，所述涂布機包括：涂布平臺，用于放置標定樣品，其中所述標定樣品至少兩個位置分別設置可改變標記物；標記修改設備，與所述涂布機的旋轉軸距離相對固定，用于在所述涂布機旋轉所述涂布平臺上的所述標定樣品時，對所述可改變標記物進行修改；檢測設備，用于檢測所有所述可改變標記物的被修改位置與所述標定樣品相應邊緣之間的距離；計算設備，用于通過各個對應所述可改變標記物的所述距離得到所述涂布機中心的偏移量。

其中，所述涂布機進一步包括裝載設備和校正設備；所述裝載設備用于按照所述涂布機的預設放片參數將所述標定樣品放置于所述涂布平臺上；所述校正設備用于當所述偏移量超過閾值范圍時，根據所述偏移量調整所述涂布機的所述預設放片參數。

其中，所述可改變標記物是在所述標定樣品徑向具有預定長度的筆跡，所述標記修改設備是所述涂布機附帶的邊緣沖洗工具；所述檢測設備檢測所有所述可改變標記物的被修改位置與所述標定樣品相應邊緣之間的距離包括：測量所述筆跡被沖洗后剩下的部分邊緣到所述標定樣品相應邊緣之間的距離。

其中，所述標定樣品至少兩個位置分別設置可改變標記物包括：所述標定樣品的周邊每間隔90度±5度設置一個所述可改變標記物。

其中，所述標定樣品為圓片，所述可改變標記物的外邊緣與所述圓片邊緣重合，且所述可改變標記物的個數為四，分別為第一標記、第二標記、第三標記、第四標記，其中所述第一標記和所述第二標記的第一連線與所述第三標記和所述第四標記的第二連線垂直相交于所述圓片的圓心。

其中，所述偏移量包括所述第一連線方向的偏移量和所述第二連線方向的偏移量；被修改后的四個所述可改變標記物的外邊緣的中心點與所述圓片邊緣的距離分別為第一距離、第二距離、第三距離、第四距離；所述第一連線方向的偏移量為所述第一距離與所述第二距離之差的一半；所述第二連線方向的偏移量為所述第三距離與所述第四距離之差的一半；當所述第一連線方向的偏移量和/或所述第二連線方向的偏移量超過所述閾值范圍時，根據所述第一連線方向的偏移量和/或所述第二連線方向的偏移量調整所述預設放片參數。

為解決上述技術問題，本發明采用的另一個技術方案是：提供一種半導體用涂布機的中心測校方法，包括：將標定樣品放置于所述涂布機的涂布平臺上，其中所述標定樣品至少兩個位置分別設置可改變標記物；利用所述涂布機旋轉所述涂布平臺上的所述標定樣品的同時，利用與所述涂布機的旋轉軸距離相對固定的標記修改設備對所述可改變標記物進行修改；測量所有所述可改變標記物的被修改位置與所述標定樣品相應邊緣之間的距離；通過各個對應所述可改變標記物的所述距離得到所述涂布機中心的偏移量。