[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體用涂布機(jī)及中心測校方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611249471.1 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106601647B | 公開(公告)日: | 2020-02-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳謙國 | 申請(專利權(quán))人: | 南通通富微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H01L21/67;G03F7/16 |
| 代理公司: | 44280 深圳市威世博知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人: | 鐘子敏 |
| 地址: | 226000 江蘇省南通市蘇通科技產(chǎn)*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 半導(dǎo)體 用涂布機(jī) 中心 校方 | ||
1.一種半導(dǎo)體用涂布機(jī),其特征在于,所述涂布機(jī)包括:
涂布平臺,用于放置標(biāo)定樣品,其中所述標(biāo)定樣品至少兩個(gè)位置分別設(shè)置可改變標(biāo)記物;
標(biāo)記修改設(shè)備,與所述涂布機(jī)的旋轉(zhuǎn)軸距離相對固定,用于在所述涂布機(jī)旋轉(zhuǎn)所述涂布平臺上的所述標(biāo)定樣品時(shí),對所述可改變標(biāo)記物進(jìn)行修改;
檢測設(shè)備,用于檢測所有所述可改變標(biāo)記物的被修改位置與所述標(biāo)定樣品相應(yīng)邊緣之間的距離;
計(jì)算設(shè)備,用于通過各個(gè)對應(yīng)所述可改變標(biāo)記物的所述距離得到所述涂布機(jī)中心的偏移量;
其中,所述可改變標(biāo)記物是在所述標(biāo)定樣品徑向具有預(yù)定長度的筆跡;所述檢測設(shè)備檢測所有所述可改變標(biāo)記物的被修改位置與所述標(biāo)定樣品相應(yīng)邊緣之間的距離包括:測量所述筆跡被沖洗后剩下的部分邊緣到所述標(biāo)定樣品相應(yīng)邊緣之間的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布機(jī),其特征在于,所述涂布機(jī)進(jìn)一步包括裝載設(shè)備和校正設(shè)備;
所述裝載設(shè)備用于按照所述涂布機(jī)的預(yù)設(shè)放片參數(shù)將所述標(biāo)定樣品放置于所述涂布平臺上;
所述校正設(shè)備用于當(dāng)所述偏移量超過閾值范圍時(shí),根據(jù)所述偏移量調(diào)整所述涂布機(jī)的所述預(yù)設(shè)放片參數(shù)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布機(jī),其特征在于:
所述標(biāo)記修改設(shè)備是所述涂布機(jī)附帶的邊緣沖洗工具。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的涂布機(jī),其特征在于:
所述標(biāo)定樣品至少兩個(gè)位置分別設(shè)置可改變標(biāo)記物包括:所述標(biāo)定樣品的周邊每間隔90度±5度設(shè)置一個(gè)所述可改變標(biāo)記物。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的涂布機(jī),其特征在于:
所述標(biāo)定樣品為圓片,所述可改變標(biāo)記物的外邊緣與所述圓片邊緣重合,且所述可改變標(biāo)記物的個(gè)數(shù)為四,分別為第一標(biāo)記、第二標(biāo)記、第三標(biāo)記、第四標(biāo)記,其中所述第一標(biāo)記和所述第二標(biāo)記的第一連線與所述第三標(biāo)記和所述第四標(biāo)記的第二連線垂直相交于所述圓片的圓心。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的涂布機(jī),其特征在于,
所述偏移量包括所述第一連線方向的偏移量和所述第二連線方向的偏移量;被修改后的四個(gè)所述可改變標(biāo)記物的外邊緣的中心點(diǎn)與所述圓片邊緣的距離分別為第一距離、第二距離、第三距離、第四距離;
所述第一連線方向的偏移量為所述第一距離與所述第二距離之差的一半;所述第二連線方向的偏移量為所述第三距離與所述第四距離之差的一半;當(dāng)所述第一連線方向的偏移量和/或所述第二連線方向的偏移量超過閾值范圍時(shí),根據(jù)所述第一連線方向的偏移量和/或所述第二連線方向的偏移量調(diào)整預(yù)設(shè)放片參數(shù)。
7.一種半導(dǎo)體用涂布機(jī)的中心測校方法,其特征在于,包括:
將標(biāo)定樣品放置于所述涂布機(jī)的涂布平臺上,其中所述標(biāo)定樣品至少兩個(gè)位置分別設(shè)置可改變標(biāo)記物;
利用所述涂布機(jī)旋轉(zhuǎn)所述涂布平臺上的所述標(biāo)定樣品的同時(shí),利用與所述涂布機(jī)的旋轉(zhuǎn)軸距離相對固定的標(biāo)記修改設(shè)備對所述可改變標(biāo)記物進(jìn)行修改;
測量所有所述可改變標(biāo)記物的被修改位置與所述標(biāo)定樣品相應(yīng)邊緣之間的距離;
通過各個(gè)對應(yīng)所述可改變標(biāo)記物的所述距離得到所述涂布機(jī)中心的偏移量;
其中,所述可改變標(biāo)記物是在所述標(biāo)定樣品徑向具有預(yù)定長度的筆跡;所述測量所述可改變標(biāo)記物的被修改位置與所述標(biāo)定樣品相應(yīng)邊緣之間的距離包括:測量所述筆跡被沖洗后剩下的部分邊緣到所述標(biāo)定樣品相應(yīng)邊緣之間的距離。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,
所述將標(biāo)定樣品放置于所述涂布機(jī)的涂布平臺上包括:根據(jù)所述涂布機(jī)的預(yù)設(shè)放片參數(shù)將所述標(biāo)定樣品放置于所述涂布機(jī)的所述涂布平臺上;
當(dāng)所述偏移量超過閾值時(shí),所述方法進(jìn)一步包括:根據(jù)所述偏移量校正所述涂布機(jī)的所述預(yù)設(shè)放片參數(shù)。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于:
所述標(biāo)記修改設(shè)備是所述涂布機(jī)附帶的邊緣沖洗工具。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法,其特征在于,
所述在標(biāo)定樣品至少兩個(gè)位置分別設(shè)置可改變標(biāo)記物包括:在所述標(biāo)定樣品的周邊每間隔90度±5度設(shè)置一個(gè)所述可改變標(biāo)記物。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





