[發(fā)明專利]一種石英晶體諧振器的加工方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611247857.9
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106877833B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 趙立軍;張琳琳;韓雪飛;孫海東
• 申請（專利權(quán)）人: 北京晨晶電子有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;C23C14/34;C23C14/02;C23C14/58
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 湯財寶

本發(fā)明提供一種石英晶體諧振器的加工方法，其包括對待加工的晶片清洗，并對清洗后的晶片進行上片點膠；對點膠后的晶片，通過在線監(jiān)測濺鍍頻率，進行雙側(cè)濺鍍鍍膜，并對鍍膜后的晶片進行真空退火處理。本發(fā)明的一種石英晶體諧振器的加工方法，將所有的加工步驟都設(shè)置在真空下，以防止產(chǎn)品加工過程中暴露在空氣中，影響其性能，實現(xiàn)了真空環(huán)境下連續(xù)生成；同時，采用了在線監(jiān)測濺鍍頻率以實現(xiàn)電極制備，將兩次鍍膜合成一次，縮減加工工藝同時提高加工效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，涉及一種石英晶體諧振器的加工方法。

背景技術(shù)

由于石英晶體諧振器是一種頻率控制元件，可以提供穩(wěn)定的時鐘信號，是武器裝備的關(guān)鍵特性配套元件，而頻率控制技術(shù)的核心元件，影響著武器裝備的性能與可靠性。比如，新一代戰(zhàn)略核導(dǎo)彈慣導(dǎo)平臺在頻率精度上有32年長貯穩(wěn)定度的要求，對此提出了32年老化率1×10^-7，推算年老化率應(yīng)達(dá)到1×10^-8的水平，這對產(chǎn)品的潔凈度控制及應(yīng)力控制提出了更高的要求。

目前國內(nèi)外諧振器的生產(chǎn)是均是按工序分步獨立進行的，如圖1所示，現(xiàn)有的諧振器電極制備分兩個步驟進行，分別為鍍膜和微調(diào)，鍍膜工序是粗量級的電極制備，微調(diào)工序是精確的電極修調(diào)。該電極制備方式所帶來的問題有兩點，一是電極夾層，二是兩側(cè)電極的不對稱，而無論是電極夾層還是質(zhì)量不對稱，都會帶來頻率的老化響應(yīng)，這是傳統(tǒng)工藝的弊端，也是技術(shù)瓶頸。同時，由于生產(chǎn)過程的不連續(xù)，導(dǎo)致中間環(huán)節(jié)的產(chǎn)品滯留帶來了表面污染，難以實現(xiàn)低老化的要求。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種可連續(xù)生產(chǎn)且產(chǎn)品性能穩(wěn)定的石英晶體諧振器的加工方法，以解決現(xiàn)有石英晶體諧振器生產(chǎn)過程不連續(xù)導(dǎo)致的產(chǎn)品壽命短且產(chǎn)品頻率老化響應(yīng)高的技術(shù)問題。

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，其包括在真空環(huán)境下進行以下步驟：

S1.對待加工的晶片清洗，并對清洗后的晶片進行上片點膠；

S2.對點膠后的晶片，通過在線監(jiān)測濺鍍頻率，進行雙側(cè)濺鍍鍍膜，并對鍍膜后的晶片進行真空退火處理。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述步驟S2進一步包括以下步驟：

S21.對點膠后的晶片進行真空清洗；

S22.對真空清洗后的晶片，通過在線監(jiān)測濺鍍頻率，進行雙側(cè)濺鍍鍍膜，并對鍍膜后的晶片進行真空退火處理；

S23.將鍍膜后的晶片進行真空退火處理，然后對其進行真空密封。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述步驟S22進一步包括：

通過在線監(jiān)測濺鍍頻率，根據(jù)濺鍍頻率與目標(biāo)頻率之間的差值大小，以調(diào)整濺鍍頻率的大小。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述步驟S22進一步包括：

通過在線監(jiān)測濺鍍頻率，在濺鍍頻率達(dá)到目標(biāo)頻率的正100ppm之前，采用150w功率進行粗調(diào)鍍膜，當(dāng)濺鍍頻率達(dá)到目標(biāo)頻率的正100ppm后，采用15w功率進行微調(diào)鍍膜，且所述目標(biāo)頻率為石英晶體諧振器的標(biāo)稱頻率。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述步驟S23中進一步包括：

所述真空退火的溫度為200℃～240℃，真空退火的時間為1h～2h。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述步驟S22進一步包括在進行雙側(cè)濺鍍鍍膜前，對所述真空清洗后的晶片進行烘烤去水處理，其中，烘烤處理的溫度為150℃-200℃，烘烤時間為2～3小時。

在上述方案基礎(chǔ)上優(yōu)選，所述步驟S21中的真空清洗包括以下步驟：

對點膠后的晶片順序進行真空烘烤、UV清洗、離子轟擊處理。