[發明專利]一種石英晶體諧振器的加工方法

有效

• 申請號: 201611247857.9
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106877833B
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 趙立軍;張琳琳;韓雪飛;孫海東
• 申請（專利權）人: 北京晨晶電子有限公司
• 主分類號: H03H3/02
• 分類號: H03H3/02;C23C14/34;C23C14/02;C23C14/58
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 湯財寶

1.一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，其包括以下步驟：

S1.對待加工的晶片清洗，并對清洗后的晶片進行上片點膠；

S2.在真空環境下，對點膠后的晶片，通過在線監測濺鍍頻率，進行雙側濺鍍鍍膜，并對鍍膜后的晶片進行真空退火處理；

所述步驟S2進一步包括以下步驟：

S21.對點膠后的晶片進行真空清洗；

S22.對真空清洗后的晶片，通過在線監測濺鍍頻率，進行雙側濺鍍鍍膜，并對鍍膜后的晶片進行真空退火處理；

S23.將鍍膜后的晶片進行真空退火處理，然后對其進行真空密封；

所述步驟S22進一步包括：

通過在線監測濺鍍頻率，根據濺鍍頻率與目標頻率之間的差值大小，以調整濺鍍頻率的大小；

所述通過在線監測濺鍍頻率，根據濺鍍頻率與目標頻率之間的差值大小，以調整濺鍍頻率的大小具體包括：

通過在線監測濺鍍頻率，在濺鍍頻率達到目標頻率的正100ppm之前，采用150w功率進行粗調鍍膜，當濺鍍頻率達到目標頻率的正100ppm后，采用15w功率進行微調鍍膜，且所述目標頻率為石英晶體諧振器的標稱頻率。

2.如權利要求1所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S23中進一步包括：

所述真空退火的溫度為200℃～240℃，真空退火的時間為1h～2h。

3.如權利要求1所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S22進一步包括在進行雙側濺鍍鍍膜前，對所述真空清洗后的晶片進行烘烤去水處理，其中，烘烤處理的溫度為150℃-200℃，烘烤時間為2～3小時。

4.如權利要求1所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S21中的真空清洗包括以下步驟：

對點膠后的晶片順序進行真空烘烤、UV清洗、離子轟擊處理。

5.如權利要求4所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述UV清洗為采用功率為60％P的UV燈，且清洗時間為30s。

6.如權利要求4所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述離子轟擊處理的轟擊功率為300w，且轟擊時間為10s。

7.如權利要求1所述的一種石英晶體諧振器的加工方法，其特征在于，所述步驟S1中對待加工的晶片清洗具體包括：

將拋光后的待加工晶片，順序進行酸熱浸洗，用去離子水放入超聲波中進行超洗，堿熱浸洗，用去離子水放入超聲波中進行二次超洗，最后使用無水乙醇進行脫水，并在100-120℃下真空烘干。