[發明專利]焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法與焊墊開口結構

有效

• 申請號: 201611247351.8
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN108257934B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 張峰溢;李甫哲;邱僅鑫
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

本發明公開一種焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法與焊墊開口結構。該焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法包含提供一介電層，其中一導電墊和一熔絲位于介電層中，形成一第一掩模，覆蓋介電層，接著進行第一次移除制作工藝，以第一掩模為掩模，移除部分的介電層以形成一第一溝槽，其中導電墊位于第一溝槽的正下方并且未從第一溝槽暴露出來，然后移除第一掩模，之后形成一第二掩模覆蓋介電層，接續進行第二次移除制作工藝，以第二掩模為掩模，移除第一溝槽正下方的介電層以形成一焊墊開口，并且移除熔絲正上方的介電層以形成一熔絲焊接口。

技術領域

本發明涉及一種焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法，特別是涉及一種可避免導電墊在制作熔絲焊接口時被損壞的制作方法。

背景技術

隨著半導體制作工藝的微小化以及復雜度的提高，半導體元件也變得更容易受各式缺陷或雜質所影響，而單一金屬連線、二極管或晶體管等的失效往往即構成整個芯片的缺陷。因此為了解決這個問題，現行技術便會在集成電路中形成一些可熔斷的連接線，也就是熔絲，以確保集成電路的可利用性。一般而言，熔絲連接集成電路中的冗余電路，一旦檢測發現電路具有缺陷時，這些連接線就可用于修復或取代有缺陷的電路。

此外半導體工業的目標之一是生產出更小的半導體裝置，越小的裝置通常消耗更低的電力，具有更高的效能。更小的半導體裝置可通過在前端制作工藝中以更小及更高密度的主動及被動元件來達成，后端制作工藝可通過在晶片或是基底之間電性互連來達成。晶片或是基底之間電性互連包含了利用打線、導電凸塊或導電球等置入焊墊開口中并且電連結導電墊的方式，因此最佳化焊墊開口和熔絲焊接口的制作方法，一直為本領域的重要課題。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種新穎的焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法。

根據本發明的一較佳實施例，一種焊墊開口結構包含一介電層、一導電墊設置于介電層中，一掩模層位于介電層上，一焊墊開口設置于介電層和掩模層中、位于導電墊的正上方并且導電墊由焊墊開口暴露出來，其中焊墊開口包含一第一部分和一第二部分，第一部分的寬度大于第二部分的寬度，且第一部分在第二部分之上。

根據本發明的一較佳實施例，一種焊墊開口結構包含一介電層，一導電墊設置于介電層中，一第一溝槽設置于介電層中，一第二溝槽設置于介電層中，第二溝槽和第一溝槽相通并且第二溝槽位于第一溝槽下方，第一溝槽的寬度大于第二溝槽的寬度，一感光性聚酰亞胺材料層位于介電層上，其中感光性聚酰亞胺材料層延伸至第一溝槽，使得感光性聚酰亞胺材料層的側壁和第二溝槽的側壁切齊，其中該感光性聚酰亞胺和該第二溝槽組成一焊墊開口，此外，導電墊由焊墊開口暴露出來。

根據本發明的一較佳實施例，一種焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法，包含提供一介電層，其中一導電墊和一熔絲位于介電層中，形成一第一掩模，覆蓋介電層，第一掩模包含一第一開口，第一開口位于導電墊的正上方，接著進行第一次移除制作工藝，以第一掩模為掩模，移除部分的介電層以形成一第一溝槽，其中導電墊位于第一溝槽的正下方并且未從第一溝槽暴露出來，然后移除第一掩模，之后形成一第二掩模覆蓋介電層，其中第二掩模包含一第二開口和一第三開口，第二開口暴露第一溝槽，第三開口位于熔絲的正上方，接續進行第二次移除制作工藝，以第二掩模為掩模，移除第一溝槽正下方的介電層以形成一焊墊開口，并且移除熔絲正上方的介電層以形成一熔絲焊接口，其中導電墊由焊墊開口暴露出來。

為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施方式，并配合所附附圖，作詳細說明如下。然而如下的較佳實施方式與附圖僅供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制者。

附圖說明

圖1至圖4為根據本發明的第一較佳實施例所繪示的焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法示意圖；

圖5和圖6為根據本發明的第二較佳實施例所繪示的焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法示意圖；

圖7所繪示的為形成導電凸塊于焊墊開口內的步驟示意圖；