[發明專利]焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法與焊墊開口結構

有效

• 申請號: 201611247351.8
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN108257934B
• 公開（公告）日: 2021-02-19
• 發明（設計）人: 張峰溢;李甫哲;邱僅鑫
• 申請（專利權）人: 聯華電子股份有限公司;福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號: H01L23/488
• 分類號: H01L23/488;H01L21/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 陳小雯

1.一種焊墊開口結構，包含：

介電層；

導電墊，設置于該介電層中；

掩模層，位于該介電層上；以及

焊墊開口，設置于該介電層和該掩模層中、位于該導電墊的正上方并且該導電墊由該焊墊開口暴露出來，其中該焊墊開口包含第一部分和第二部分，該第一部分的寬度大于該第二部分的寬度，且該第一部分在該第二部分之上，

其中該介電層包含氧化硅層和氮化硅層，該氮化硅層位于該氧化硅層上，

其中該焊墊開口的該第一部分位于該掩模層、該氮化硅層以及部分的氧化硅層中，

第二部分只由介電層中的氧化硅層構成，且第二部分的側壁、第一部分的側壁和氧化硅層的上表面共同形成一階梯輪廓。

2.如權利要求1所述的焊墊開口結構，其中該掩模層包含感光性聚酰亞胺。

3.如權利要求1所述的焊墊開口結構，另包含導電凸塊或打線，位于焊墊開口內并且電連結該導電墊。

4.一種焊墊開口結構，包含：

介電層；

導電墊，設置于該介電層中；

第一溝槽，設置于該介電層中；

第二溝槽，設置于該介電層中，該第二溝槽和該第一溝槽相通并且該第二溝槽位于該第一溝槽下方，該第一溝槽的寬度大于該第二溝槽的寬度；以及

感光性聚酰亞胺材料層，位于該介電層上，其中該感光性聚酰亞胺材料層延伸至該第一溝槽，使得該感光性聚酰亞胺材料層的側壁和該第二溝槽的側壁切齊，其中該感光性聚酰亞胺和該第二溝槽組成一焊墊開口，該導電墊由該焊墊開口暴露出來，

該介電層包含氧化硅層和氮化硅層，該氮化硅層位于該氧化硅層上，該第一溝槽位于該感光性聚酰亞胺材料層、該氮化硅層以及部分的氧化硅層中，

第二溝槽只由介電層中的氧化硅層構成，且第二溝槽的側壁、第一溝槽的側壁和氧化硅層的上表面共同形成一階梯輪廓。

5.如權利要求4所述的焊墊開口結構，另包含導電凸塊或打線，位于焊墊開口內并且電連結該導電墊。

6.一種焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法，包含：

提供一介電層，其中一導電墊和一熔絲位于該介電層中；

形成一第一掩模，覆蓋該介電層，該第一掩模包含第一開口，該第一開口位于該導電墊的正上方；

進行第一次移除制作工藝，以該第一掩模為掩模，移除部分的該介電層以形成一第一溝槽，其中該導電墊位于該第一溝槽的正下方并且未從該第一溝槽暴露出來；

移除該第一掩模；

形成一第二掩模覆蓋該介電層，其中該第二掩模包含第二開口和第三開口，該第二開口暴露該第一溝槽，該第三開口位于該熔絲的正上方；

進行第二次移除制作工藝，以該第二掩模為掩模，移除該第一溝槽正下方的該介電層以形成一焊墊開口，并且同時移除該熔絲正上方的該介電層以形成一熔絲焊接口，其中該導電墊由該焊墊開口暴露出來，其中在該第二次移除制作工藝完成后，保留該第二掩模。

7.如權利要求6所述的焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法，其中該第二開口對齊該第一溝槽。

8.如權利要求6所述的焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法，其中該第二掩模延伸至該第一溝槽內，并且該第二開口位于該第一溝槽內。

9.如權利要求6所述的焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法，其中該第二開口的寬度大于該第一溝槽的寬度，并且該第一溝槽由該第二開口暴露出來。

10.如權利要求6所述的焊墊開口及熔絲焊接口的制作方法，其中該第二掩模層包含感光性聚酰亞胺。