[發明專利]一種芯片及其封裝方法在審
| 申請號: | 201611246746.6 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106783642A | 公開(公告)日: | 2017-05-31 |
| 發明(設計)人: | 陳峰;陸原 | 申請(專利權)人: | 華進半導體封裝先導技術研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫市新區太湖國*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 及其 封裝 方法 | ||
技術領域
本發明實施例涉及芯片封裝技術,尤其涉及一種芯片及其封裝方法。
背景技術
隨著電子產品多功能化和小型化的快速發展,高密度微電子組裝技術逐漸成為電子產品的主要組裝技術。為了配合電子產品尤其是智能手機、掌上電腦、超級本等產品的發展,芯片的尺寸向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向發展,因此芯片的封裝技術也越來越重要。現有的芯片封裝技術主要是晶圓級封裝技術。
采用晶圓級封裝技術封裝芯片時,首先將裁切好的芯片通過膠膜貼到承載片上,然后通過塑封工藝進行封裝并在塑封完成后去除承載片和膠膜使芯片正面漏出,最后進行布線和電路布局后切割為單個芯片產品。
顯然,現有晶圓級封裝技術在封裝芯片過程中存在以下不足:貼膠膜和貼芯片等工藝均需要專用的承載片和相關配套設備,增加了工藝成本;增加了臨時鍵合技術;貼芯片精度較低。
發明內容
本發明實施例提供一種芯片及其封裝方法,以解決現有封裝技術的工藝流程多且成本高等問題。
第一方面,本發明實施例提供了一種芯片封裝方法,該芯片封裝方法包括:
在晶片的電極上形成導電凸點,將所述晶片貼附在貼片膜上并將所述晶片切割為多個芯片,其中,所述電極位于所述晶片的正面,所述晶片的正面與所述貼片膜貼合;
拉伸所述貼片膜以使貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個所述芯片之間具有間隙;
在所述多個芯片的背離所述貼片膜的第一表面上形成第一絕緣層,以及去除所述貼片膜并在所述多個芯片的面向所述貼片膜的第二表面上形成第二絕緣層且露出所述導電凸點;
在所述多個芯片上布線且布線完成后切割以形成多個芯片產品。
進一步地,將晶片貼附在貼片膜上之前,還包括:
將所述貼片膜貼附在環形封裝模具上,其中,所述環形封裝模具的形狀為方環形或圓環形。
進一步地,在晶片的電極上形成導電凸點的具體執行過程為:采用電鍍工藝、化學鍍工藝或引線鍵合工藝在所述晶片的電極上形成所述導電凸點。
進一步地,拉伸所述貼片膜的具體執行過程為:
采用張膜機拉伸所述貼片膜以使所述貼片膜撐開,使貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個所述芯片之間具有間隙。
進一步地,任意相鄰兩個所述芯片之間的間隙大于或等于5微米且小于或等于5毫米。
進一步地,在所述多個芯片的面向所述貼片膜的第二表面上形成第二絕緣層且露出所述導電凸點包括:
在所述多個芯片的第二表面上形成第二絕緣層,對所述第二絕緣層進行刻蝕處理并刻蝕至所述導電凸點的表面。
進一步地,所述第一絕緣層和所述第二絕緣層均為感光樹脂材料。
進一步地,在所述多個芯片上布線包括:
在所述多個芯片的第二表面上形成第一保護層并在所述第一保護層中形成與所述導電凸點對應的第一過孔且所述第一過孔的底部延伸至所述導電凸點的表面;
在所述第一保護層上形成導電圖案,所述導電圖案通過所述第一過孔與所述導電凸點電連接;
在所述導電圖案上形成第二保護層并在所述第二保護層中形成與所述導電凸點對應的第二過孔且所述第二過孔的底部延伸至所述導電圖案的表面,在垂直于所述芯片的方向上,所述第二過孔的投影與對應的所述導電凸點的投影交疊;
在所述第二過孔中形成焊球,所述焊球通過所述第二過孔與所述導電圖案電連接。
進一步地,所述第一保護層和所述第二保護層均為感光樹脂材料。
第二方面,本發明實施例還提供了一種芯片,該芯片采用如上所述的芯片封裝方法進行封裝,該芯片包括:
位于晶片的電極上的導電凸點,所述晶片貼附在貼片膜上且所述晶片包括多個芯片,其中,所述電極位于所述晶片的正面,所述晶片的正面與所述貼片膜貼合;
貼附在所述貼片膜上的任意相鄰兩個所述芯片之間具有間隙;
位于所述多個芯片的背離所述貼片膜的第一表面上的第一絕緣層,以及去除所述貼片膜后位于所述多個芯片的面向所述貼片膜的第二表面上的第二絕緣層,其中,所述第二絕緣層露出所述導電凸點;
位于所述多個芯片上的布線層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





