[發(fā)明專利]顯示模組點(diǎn)燈測(cè)試裝置及方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611245880.4 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN106771974B | 公開(kāi)(公告)日: | 2019-07-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 安泰生 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 武漢華星光電技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | G01R31/28 | 分類號(hào): | G01R31/28;G05B19/042 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李慶波 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 顯示 模組 點(diǎn)燈 測(cè)試 裝置 方法 | ||
1.一種顯示模組點(diǎn)燈測(cè)試裝置,用于對(duì)待測(cè)顯示模組進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試,其特征在于,包括:
存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)進(jìn)行所述點(diǎn)燈測(cè)試所需的圖片數(shù)據(jù);
外圍電路,接收用戶指令并根據(jù)所述用戶指令而輸出對(duì)應(yīng)的控制指令;
現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列芯片,與所述存儲(chǔ)器與所述外圍電路連接以接收所述圖片數(shù)據(jù)和所述控制指令,根據(jù)所述控制指令而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的控制參數(shù),并根據(jù)所述控制參數(shù)對(duì)所述圖片數(shù)據(jù)進(jìn)行處理以輸出處理后的所述待測(cè)顯示模組進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試所需的圖片數(shù)據(jù)至所述待測(cè)顯示模組,從而對(duì)所述待測(cè)顯示模組進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試;
其中,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列芯片內(nèi)集成有微處理器和顯示界面控制器,所述微處理器用于輸出初始化信息,且所述微處理器連接所述顯示界面控制器,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列芯片通過(guò)所述顯示界面控制器而連接所述待測(cè)顯示模組,以輸出所述初始化信息至所述待測(cè)顯示模組從而對(duì)所述待測(cè)顯示模組進(jìn)行初始化操作,并輸出處理后的所述待測(cè)顯示模組進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試所需的圖片數(shù)據(jù)至所述待測(cè)顯示模組,從而對(duì)所述待測(cè)顯示模組進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試;
所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列芯片內(nèi)進(jìn)一步包括:
存儲(chǔ)控制器,與所述存儲(chǔ)器連接以讀取所述存儲(chǔ)器內(nèi)存儲(chǔ)的所述圖片數(shù)據(jù);
I2C從控制器,與所述外圍電路連接以接收所述外圍電路所輸出的所述控制指令;
參數(shù)配置控制器,與所述I2C從控制器連接以根據(jù)所述控制指令而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的控制參數(shù);
圖片產(chǎn)生器;
PG產(chǎn)生器,其中,所述圖片產(chǎn)生器和所述PG產(chǎn)生器分別與所述存儲(chǔ)控制器連接以分別接收所述存儲(chǔ)器所輸出的所述圖片數(shù)據(jù),且所述圖片產(chǎn)生器和所述PG產(chǎn)生器進(jìn)一步分別與所述參數(shù)配置控制器,以分別根據(jù)控制參數(shù)而對(duì)所述圖片數(shù)據(jù)進(jìn)行處理;
模式選擇控制器,分別連接所述圖片產(chǎn)生器和所述PG產(chǎn)生器,以根據(jù)其選擇的工作模式而選擇所述圖片產(chǎn)生器和所述PG產(chǎn)生器之一所輸出的處理后圖片數(shù)據(jù)作為處理后的所述待測(cè)顯示模組進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試所需的圖片數(shù)據(jù)進(jìn)行輸出,且所述模式選擇控制器進(jìn)一步連接所述顯示界面控制器,以通過(guò)所述顯示界面控制器而輸出選擇的所述圖片產(chǎn)生器和所述PG產(chǎn)生器之一所輸出的處理后圖片數(shù)據(jù)至所述待測(cè)顯示模組。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的點(diǎn)燈測(cè)試裝置,其特征在于,
所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列芯片內(nèi)集成的所述微處理器中配置有所述用戶指令,且所述微處理器通過(guò)總線接口而連接所述外圍電路,以將所述用戶指令輸出至所述外圍電路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的點(diǎn)燈測(cè)試裝置,其特征在于,
所述外圍電路進(jìn)一步連接至一個(gè)用于供用戶輸入所述用戶指令的控制裝置,以通過(guò)所述外圍裝置而接收所述用戶指令。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的點(diǎn)燈測(cè)試裝置,其特征在于,
所述模式選擇控制器進(jìn)一步連接所述微處理器以接收所述微處理器所輸出的模式選擇指令并根據(jù)所述模式選擇指令而工作在對(duì)應(yīng)的工作模式下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的點(diǎn)燈測(cè)試裝置,其特征在于,進(jìn)一步包括:
功率控制模塊,其連接在所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列芯片與所述待測(cè)顯示模組之間,以接收所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列芯片所輸出的功率控制參數(shù),并根據(jù)所述功率控制參數(shù)而輸出對(duì)應(yīng)的電源電壓至所述待測(cè)顯示模組,以控制所述待測(cè)顯示模組在不同功率下進(jìn)行點(diǎn)燈測(cè)試。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的點(diǎn)燈測(cè)試裝置,其特征在于,所述現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列芯片內(nèi)進(jìn)一步包括:
功率控制器,其與所述參數(shù)配置控制器和所述功率控制模塊連接,其中,所述參數(shù)配置控制器所產(chǎn)生的所述控制參數(shù)包括所述功率控制參數(shù),所述功率控制器接收所述功率控制參數(shù),并根據(jù)所述功率控制參數(shù)而產(chǎn)生對(duì)應(yīng)的功率控制指令,并將其輸出至所述功率控制模塊以控制所述功率控制模塊輸出對(duì)應(yīng)的電源電壓。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的點(diǎn)燈測(cè)試裝置,其特征在于,
所述存儲(chǔ)器包括SD卡和至少一個(gè)DDR存儲(chǔ)器。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過(guò)端—不過(guò)端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過(guò)測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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