[發明專利]一種單端轉雙端差分的模擬電路有效
| 申請號: | 201611245806.2 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106656100B | 公開(公告)日: | 2019-03-15 |
| 發明(設計)人: | 華山;陳偉強;黃彬周 | 申請(專利權)人: | 福建利利普光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H03H11/32 | 分類號: | H03H11/32 |
| 代理公司: | 福州君誠知識產權代理有限公司 35211 | 代理人: | 夏萬征 |
| 地址: | 350000 福建省漳*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 單端轉雙端差分 模擬 電路 | ||
1.一種單端轉雙端差分的模擬電路,其特征在于:其包括晶體管差分級聯放大/衰減電路、交流補償電路、高頻補償電路、射隨反饋電路、恒流源電路;晶體管差分級聯放大/衰減電路將單端輸入信號分別經不同晶體管反向、生成雙端差分的正端和負端信號,雙端差分信號幅度相同、相位相差180度;單端輸入信號的直流偏置通過晶體管差分級聯放大/衰減電路的另一端輸入端疊加;晶體管差分級聯放大/衰減電路通過交流補償電路進行交流補償,晶體管差分級聯放大/衰減電路通過高頻補償電路進行高頻補償,共模電壓通過射隨反饋電路疊加于晶體管差分級聯放大/衰減電路的輸出端,恒流源電路為晶體管差分級聯放大/衰減電路提供恒流源,模擬電路具有對其輸出差分信號的電壓限幅進行控制的功能;
所述晶體管差分級聯放大/衰減電路包括晶體管Q1/Q2/Q3/Q4,交流補償電路包括電容C1/C6/C7、電阻R7/R10/R12,高頻補償電路包括晶體管Q5/Q6,所述射隨反饋電路包括運放U1、晶體管Q9、電容C5、電阻R3/R4/R18/R19/R22/R23,恒流源電路包括晶體管Q7/Q8、電阻R14/R16,
輸入信號連接晶體管Q1的基極,晶體管Q1的集電極分別連接電阻R1的一端和晶體管Q5的發射極,電阻R1的另一端連接晶體管Q3的基極,晶體管Q1的發射極通過可調電阻R5連接晶體管Q8的集電極,晶體管Q3的發射極通過電阻R8連接晶體管Q7的集電極,
直流偏置Vbias通過電阻R30連接晶體管Q2的基極,晶體管Q2的基極通過電容C11接地,晶體管Q2的集電極分別連接電阻R2的一端和晶體管Q6的發射極,電阻R2的另一端連接晶體管Q4的基極,Q2的發射極通過可調電阻R6連接晶體管Q8的集電極,晶體管Q4的發射極通過電阻R9連接晶體管Q7的集電極,
晶體管Q1的發射極分別連接電阻R10和電阻R12的一端,電阻R10的另一端通過電容C6連接晶體管Q2的發射極,電阻R12的另一端通過電容C7連接晶體管Q2的發射極,
晶體管Q3的發射極依次通過電阻R7和電容C1連接晶體管Q4的發射極,
晶體管Q7的集電極通過電容C2接地,晶體管Q7的發射極通過電阻R14連接負極電源,晶體管Q7的基極通過電阻R15連接控制信號CT1,
晶體管Q8的集電極通過電容C3接地,晶體管Q8的發射極通過電阻R16連接負極電源,晶體管Q8的基極通過電阻R17連接控制信號CT2,
Q3的集電極為晶體管差分級聯放大/衰減電路的正輸出端,晶體管Q3的集電極連接晶體管Q6的集電極,晶體管Q6的基極接地,
Q4的集電極為晶體管差分級聯放大/衰減電路的負輸出端,晶體管Q4的集電極連接晶體管Q5的集電極,晶體管Q5的基極接地,
共模電壓VCM通過R19連接運放U1的正輸入端,運放U1的正輸入端通過電容C4接地,運放U1的輸出端通過電阻R18連接晶體管Q9的基極,運放U1的負輸入端分別連接電阻R22、電阻R23和電容C5的一端,電阻R22的另一端連接Q3的集電極,電阻R23的另一端連接Q4的集電極,電容C5的另一端連接晶體管Q9的基極,晶體管Q9的基極通過電阻R21連接正極電源,晶體管Q9的集電極通過電阻R20連接正極電源,晶體管Q9的發射極通過電阻R3連接Q4的集電極,晶體管Q9的發射極通過電阻R4連接Q3的集電極。
2.根據權利要求1所述一種單端轉雙端差分的模擬電路,其特征在于:其還包括輸入級并聯差分回路,輸入級并聯差分回路并聯于晶體管差分級聯放大/衰減電路的兩端。
3.根據權利要求2所述一種單端轉雙端差分的模擬電路,其特征在于:所述輸入級并聯差分回路包括晶體管Q10/Q11/Q12、電容C8/C9、電阻R24/R25/R26/R27/R28;晶體管Q10的基極連接晶體管Q1的基極,晶體管Q10的集電極連接晶體管Q1的集電極,晶體管Q11的基極連接晶體管Q2的基極,晶體管Q11的集電極連接晶體管Q2的集電極,晶體管Q10的發射極通過電阻R24連接晶體管Q12的集電極,晶體管Q11的發射極通過電阻R25連接晶體管Q12的集電極,晶體管Q10的發射極依次通過電阻R26和電容C8連接晶體管Q11的發射極,晶體管Q10的發射極依次通過電阻R27和電容C9連接晶體管Q11的發射極,晶體管Q12的集電極通過電容C10接地,晶體管Q12的發射極通過電阻R28連接負極電源,晶體管Q12的基極通過電阻R29連接控制信號CT3。
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