[發明專利]一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的封裝方法及結構有效
| 申請號: | 201611244760.2 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106783735B | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發明(設計)人: | 平山秀雄 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李慶波 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 液晶 顯示裝置 薄膜晶體管 封裝 方法 結構 | ||
本發明公開了一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的封裝方法及結構,涉及液晶顯示領域。該封裝結構包括設置在薄膜晶體管基板上的至少一層密封膜層,其中,密封膜層包括有機薄膜層、自組裝單層膜、無機薄膜層和硅薄膜層。該封裝結構通過設置自組裝單層膜和硅薄膜層,能夠有效填補有機薄膜層和無機薄膜層中的針孔和晶粒邊緣缺陷,能夠提高封裝結構的柔韌性和密封性。
技術領域
本發明涉及液晶顯示領域,特別是涉及一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的封裝方法及結構。
背景技術
由于液晶顯示裝置中的薄膜晶體管元件固態層極薄,有一些物質是化學活性材料,暴露在水或氧氣中會立刻氧化,產生黑點從而損壞顯示器。因此,液晶顯示裝置對濕氣和氧氣極為敏感。
為保護液晶顯示裝置,現已研究出多種封裝方式用以阻擋水汽和氧氣,目前最常用的是多層薄膜封裝技術,也稱為Barix封裝技術。即在基板上先形成一層有機聚合物薄膜,然后在有機聚合物薄膜上形成一層無機薄膜組成一個Barix封裝單元,再重復堆疊多個封裝單元形成一個多層有機層與無機層的組合,以提高封裝的氣密性。因為聚合物的成膜性好、表面致密不易形成針孔,但對水汽、氧氣的阻隔效果欠佳;而無機薄膜層對水汽和氧氣有很好的阻隔作用,但成膜性、平整度和均勻性欠佳,讓兩者交替成膜堆疊形成一個互補的水汽和氧氣隔離單元。雖然已經有了很好的阻隔性能,但仍然會有少量空氣和水汽滲透進入,使器件氧化形成黑點從而損壞顯示器。
發明內容
本發明主要解決的技術問題是提供一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的封裝方法及結構,能夠很好的阻擋水汽和氧氣向液晶顯示裝置內部擴散,使密封性能更好。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:提供一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的封裝方法。該方法包括:對薄膜晶體管基板進行表面處理;在經過表面處理后的薄膜晶體管基板上形成有機薄膜層;將形成有有機薄膜層的薄膜晶體管基板放置在酸性溶液中進行浸泡,以除去表面污染物并活化表面羥基;洗滌并吹干浸泡后的薄膜晶體管基板,并將薄膜晶體管基板放置在有機硅溶液中進行浸泡,以在有機薄膜層上形成自組裝單層膜;在薄膜晶體管基板的自組裝單層膜上形成無機薄膜層;將形成有無機薄膜層的薄膜晶體管基板放置在酸性溶液中進行浸泡,以除去表面污染物并活化其表面羥基;在無機薄膜層上化學氣相沉積硅薄膜層,從而在薄膜晶體管基板的表面形成一層密封膜層,其中,密封膜層包括有機薄膜層、自組裝單層膜、無機薄膜層和硅薄膜層。
其中,多次執行上述步驟以在薄膜晶體管基板上形成多層密封膜層。
其中,洗滌并吹干浸泡后的薄膜晶體管基板的步驟,包括:將薄膜晶體管基板用去離子水洗滌;用惰性氣體吹干洗滌后的薄膜晶體管基板。
其中,在薄膜晶體管基板的自組裝單層膜上形成無機薄膜層的步驟,包括:利用濺射沉積法形成無機薄膜層。其中,濺射沉積法的濺射壓力為3.5~15mTorr。
其中,將薄膜晶體管基板放置在有機硅溶液中進行浸泡的步驟,包括:排除有機硅溶液中的氣泡。
其中,酸性溶液為硫酸與雙氧水的混合溶液。
其中,將形成有無機薄膜層的薄膜晶體管基板放置在酸性溶液中進行浸泡的步驟之前,該方法進一步包括:將形成有無機薄膜層的薄膜晶體管基板放置在紫外光下進行照射。
其中,無機薄膜層為Al2O3、SiO2或TiO薄膜層。
為解決上述技術問題,本發明采用的另一個技術方案是:提供一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的封裝結構,包括:薄膜晶體管基板;設置在薄膜晶體管基板上的至少一層密封膜層,其中,密封膜層包括有機薄膜層、自組裝單層膜、無機薄膜層和硅薄膜層,其中,密封膜層采用上述液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的封裝方法而形成在薄膜晶體管基板上。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于武漢華星光電技術有限公司,未經武漢華星光電技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201611244760.2/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種低溫多晶硅陣列基板及其制作方法
- 下一篇:一種制造陣列基板的方法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





