[發(fā)明專利]一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的封裝方法及結(jié)構有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611244760.2 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106783735B | 公開(公告)日: | 2019-05-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 平山秀雄 | 申請(專利權)人: | 武漢華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/77 | 分類號: | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1333 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李慶波 |
| 地址: | 430070 湖北省武漢市*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 液晶 顯示裝置 薄膜晶體管 封裝 方法 結(jié)構 | ||
1.一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的封裝方法,其特征在于,包括:
S11、對所述薄膜晶體管基板進行表面處理;
S12、在經(jīng)過表面處理后的所述薄膜晶體管基板上形成有機薄膜層;
S13、將形成有所述有機薄膜層的所述薄膜晶體管基板放置在酸性溶液中進行浸泡,以除去表面污染物并活化表面羥基;
S14、洗滌并吹干浸泡后的所述薄膜晶體管基板,并將所述薄膜晶體管基板放置在有機硅溶液中進行浸泡,以在所述有機薄膜層上形成自組裝單層膜;
S15、在所述薄膜晶體管基板的所述自組裝單層膜上形成無機薄膜層;
S16、將形成有所述無機薄膜層的所述薄膜晶體管基板放置在酸性溶液中進行浸泡,以除去表面污染物并活化其表面羥基;
S17、在所述無機薄膜層上利用化學氣相沉積法形成一層硅薄膜層,從而在所述薄膜晶體管基板的表面形成一層密封膜層,其中,所述密封膜層包括所述有機薄膜層、所述自組裝單層膜、所述無機薄膜層和所述硅薄膜層。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,多次執(zhí)行所述步驟S11~S17以在所述薄膜晶體管基板上形成多層所述密封膜層。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,洗滌并吹干浸泡后的所述薄膜晶體管基板的步驟,包括:
將所述薄膜晶體管基板用去離子水洗滌;
用惰性氣體吹干洗滌后的所述薄膜晶體管基板。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,在所述薄膜晶體管基板的所述自組裝單層膜上形成無機薄膜層的步驟,包括:利用濺射沉積法形成所述無機薄膜層。
5.根據(jù)權利要求4所述的方法,其特征在于,所述濺射沉積法的濺射壓力為3.5~15mTorr。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,將所述薄膜晶體管基板放置在有機硅溶液中進行浸泡的步驟,包括:排除所述有機硅溶液中的氣泡。
7.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述酸性溶液為硫酸與雙氧水的混合溶液。
8.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,將形成有所述無機薄膜層的所述薄膜晶體管基板放置在酸性溶液中進行浸泡的步驟之前,所述方法進一步包括:將形成有所述無機薄膜層的所述薄膜晶體管基板放置在紫外光下進行照射。
9.根據(jù)權利要求1所述的方法,其特征在于,所述無機薄膜層為Al2O3、SiO2或TiO薄膜層。
10.一種液晶顯示裝置的薄膜晶體管基板的封裝結(jié)構,其特征在于,包括:
薄膜晶體管基板;
設置在所述薄膜晶體管基板上的至少一層密封膜層,其中,所述密封膜層包括有機薄膜層、自組裝單層膜、無機薄膜層和硅薄膜層,其中,所述密封膜層采用如權利要求1-9任意一項所述的方法而形成在所述薄膜晶體管基板上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





