[發明專利]像素單元結構及顯示裝置

在審

• 申請號: 201611244006.9
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106773403A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發明（設計）人: 應見見;杜鵬
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 北京聿宏知識產權代理有限公司11372
• 代理人: 吳大建

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體的說，涉及一種像素單元結構及顯示裝置。

背景技術

隨著顯示技術的發展，液晶顯示屏已經成為最為常見的顯示裝置。液晶顯示屏具有高空間利用率、低功耗、無輻射以及低電磁干擾等優越特性，因此在電視、手機、平板電腦等信息溝通工具中得到廣泛使用。

目前，顯示科技發展的一個方向是高分辨率和高PPI(Pixel per Inch，每英寸像素數)。在達到精細和細膩的超高清顯示的同時，對應的像素尺寸也隨著分辨率和PPI的提高而減小。像素尺寸減小，單位面積的金屬面積則會增加，相應開口率也會降低，對應的穿透率也通常會有較大幅的降低，成為高分辨率和高PPI像素設計的瓶頸。

如圖1所示，以垂直排列型(Vertical Alignment，簡稱VA)液晶顯示器為例，并且色阻層設置在陣列基板上，即采用COA(Color filter On Array)技術的像素結構。圖中左側部分為薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)結構，右側部分為提供像素偏轉電壓的存儲電容(Cst)結構，存儲電容由第一金屬層1和第二金屬層2組成，電容值與兩層金屬的對組面積成正比，由于第一金屬層1和第二金屬層2為不透光的金屬，因此嚴重影響開口率。另外，數據線(Data line)上方及遮光設計也為不透光設計，采用無數據線黑矩陣(Data line BM Less，簡稱DBS)設計的產品如圖2所示，數據線20上方采用透明的公共電極30遮光，考慮到穿透率的提升，通常將公共電極30與像素電極40的間距B調整到最小，因此也增加了制程難度。數據線上方的整個不透光區域就為如圖2中的A區域：包括公共電極30和兩倍的B區域以及像素電極40與屏蔽金屬10的重合區域。因此，現有的顯示裝置的開口率較低，進而導致穿透率較低的技術問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種像素單元結構及顯示裝置，以解決現有的顯示裝置存在開口率較低的技術問題。

本發明提供一種像素單元結構，包括形成于襯底基板上的薄膜晶體管，以及從下至上依次形成在所述薄膜晶體管上方的第一絕緣層、第一透明電極層、第二絕緣層、第二透明電極層；

其中，所述第一透明電極層與所述第二透明電極層形成存儲電容。

在一種實施方式中，所述第一透明電極層為公共電極，所述第二透明電極層為像素電極。

進一步的是，所述第二透明電極層通過過孔與所述薄膜晶體管的漏極相連。

優選的是，所述公共電極呈平板狀，所述像素電極呈梳齒狀。

進一步的是，所述第一透明電極層與所述色阻層之間還包括第三絕緣層。

在另一種實施方式中，所述第一透明電極層為像素電極，所述第二透明電極層為公共電極。

進一步的是，所述第一透明電極層通過過孔與所述薄膜晶體管的漏極相連。

優選的是，所述公共電極呈梳齒狀，所述像素電極呈平板狀。

優選的是，該像素單元結構還包括設置在第一絕緣層和第一透明電極層之間的色阻層。

本發明還提供一種顯示裝置，包括多個像素單元，且每個所述像素單元具有上述的像素單元結構。

本發明帶來了以下有益效果：本發明提供的像素單元結構中，在薄膜晶體管上方形成有第一絕緣層、第一透明電極層、第二絕緣層、第二透明電極層，并且由第一透明電極層與第二透明電極層形成存儲電容。因為本發明提供的像素單元結構中，存儲電容是由兩層透明電極層形成的，所以能夠顯著提升開口率，從而提高了顯示裝置整體的穿透率。

本發明的其它特征和優點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發明而了解。本發明的目的和其他優點可通過在說明書、權利要求書以及附圖中所特別指出的結構來實現和獲得。

附圖說明

為了更清楚的說明本發明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹：

圖1是現有的像素單元結構的示意圖；

圖2是現有的像素單元結構中遮光區域的示意圖；

圖3是本發明實施例一提供的像素單元結構的示意圖；

圖4是本發明實施例一提供的像素單元結構中遮光區域的示意圖；

圖5是本發明實施例一提供的像素單元結構中電極形狀的示意圖；

圖6是本發明實施例一提供的另一種像素單元結構的示意圖；

圖7是本發明實施例二提供的像素單元結構的示意圖；

圖8是本發明實施例二提供的像素單元結構中遮光區域的示意圖；