[發明專利]像素單元結構及顯示裝置在審
| 申請號： | 201611244006.9 | 申請日： | 2016-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN106773403A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 應見見;杜鵬 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362 |
| 代理公司： | 北京聿宏知識產權代理有限公司11372 | 代理人： | 吳大建 |
| 地址： | 518132 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 像素 單元 結構 顯示裝置 | ||
1.一種像素單元結構，其特征在于，包括形成于襯底基板上的薄膜晶體管，以及從下至上依次形成在所述薄膜晶體管上方的第一絕緣層、第一透明電極層、第二絕緣層、第二透明電極層；
其中，所述第一透明電極層與所述第二透明電極層形成存儲電容。
2.根據權利要求1所述的像素單元結構，其特征在于，所述第一透明電極層為公共電極，所述第二透明電極層為像素電極。
3.根據權利要求2所述的像素單元結構，其特征在于，所述第二透明電極層通過過孔與所述薄膜晶體管的漏極相連。
4.根據權利要求2所述的像素單元結構，其特征在于，所述公共電極呈平板狀，所述像素電極呈梳齒狀。
5.根據權利要求2所述的像素單元結構，其特征在于，所述第一透明電極層與所述色阻層之間還包括第三絕緣層。
6.根據權利要求1所述的像素單元結構，其特征在于，所述第一透明電極層為像素電極，所述第二透明電極層為公共電極。
7.根據權利要求6所述的像素單元結構，其特征在于，所述第一透明電極層通過過孔與所述薄膜晶體管的漏極相連。
8.根據權利要求6所述的像素單元結構，其特征在于，所述公共電極呈梳齒狀，所述像素電極呈平板狀。
9.根據權利要求1所述的像素單元結構，其特征在于，還包括設置在第一絕緣層和第一透明電極層之間的色阻層。
10.一種顯示裝置，其特征在于，包括多個像素單元，且每個所述像素單元具有如權利要求1至9任一項所述的像素單元結構。
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