[發明專利]氧化銦?氧化鋅類（IZO）濺射靶及其制造方法

在審

• 申請號: 201611242711.5
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN107267936A
• 公開（公告）日: 2017-10-20
• 發明（設計）人: 掛野崇
• 申請（專利權）人: 捷客斯金屬株式會社
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C23C14/08
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 胡嵩麟,王海川

技術領域

本發明涉及氧化銦-氧化鋅類(IZO)濺射靶及其制造方法，特別是涉及靶的濺射面內的體電阻率的差小、適合于膜的形成的濺射靶及其制造方法。

背景技術

一些包含金屬復合氧化物的透明導電膜具有高導電性和可見光透射性，因此可以用于液晶顯示裝置、薄膜電致發光顯示裝置、有機電致發光(EL)、放射性檢測裝置、終端設備的透明輸入板、窗玻璃的防結露用發熱膜、防靜電膜或太陽能集熱器用選擇性透射膜、觸控面板的電極等多種多樣的用途。在這樣的包含金屬復合氧化物的透明導電膜中，最普及的是被稱為ITO的包含氧化銦-氧化錫的透明導電膜。

另一方面，蝕刻速度比ITO膜快的、以銦和鋅的復合氧化物(稱為“IZO”)作為主要成分的透明導電膜的需求不斷增加。制造IZO膜時，使用燒結體濺射靶，但是該IZO燒結體存在燒結過程中發生翹曲的問題。對于發生翹曲的靶，為了修整產品形狀，需要對其兩面進行磨削以形成平面，通過磨削處理，靶面內的體電阻率顯著變化，存在濺射時發生異常放電等的問題。

接著，對涉及IZO燒結體濺射的現有技術進行說明。專利文獻1公開了將氧化銦和氧化鋅混合，將其通過冷壓和冷等靜壓成形，然后在氧氣氣氛中或大氣中在1300℃～1500℃下進行加熱燒結的技術。另外，專利文獻2公開了在將In₂O₃與ZnO的粉末混合之前，僅對ZnO粉末進行煅燒的技術。

專利文獻3記載了將氧化銦粉末與氧化鋅粉末制成特定的性狀的技術。另外，專利文獻4記載了燒結IZO時，直到達到1200℃為止，使氧濃度為21體積％以上，在1200℃～1450℃下，在氧濃度小于21體積％的氣氛中進行燒結的技術。專利文獻5記載了通過將原料粉末微細粉碎來控制靶的晶粒尺寸的技術。

然而，根據這些現有的制造工序，伴隨著由燒結時的加熱造成的熱膨脹、熱收縮，所制作的燒結體發生翹曲。將翹曲大的燒結體加工成靶形狀時，有時靶的濺射面內的電阻率的差變大。這樣的靶面內的電阻率的偏差在濺射時引起電弧放電(異常放電)等，存在使產品的成品率降低的問題。特別是伴隨著近年來的濺射靶的大面積化，如上所述的問題變得顯著。

現有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2001-131736號公報

專利文獻2：日本特開平9-111444號公報

專利文獻3：日本特開2007-8780號公報

專利文獻4：日本特開2007-8772號公報

專利文獻5：國際公開第2001/038599號

發明內容

發明所要解決的問題

本發明為為了解決上述問題而作出的發明，本發明的課題在于，提供一種可以抑制濺射時電弧放電(異常放電)的發生、濺射面內的體電阻率的差小的濺射靶及其制造方法。特別是，本發明的課題在于，提供一種即使為大面積、體電阻率的面內的差也小的濺射靶。

用于解決問題的手段

為了解決上述的問題，本發明人進行了深入研究，結果發現：在IZO的收縮即將開始或剛開始時暫時保持溫度，從而減小燒結體內的溫度分布，由此可以顯著抑制燒結體的翹曲量。其結果是得到了以下發現：即使為了修整靶形狀而對其兩面進行磨削等以形成平面，也能夠得到面內的體電阻率的差小的濺射靶。

基于這樣的發現，本申請提供以下的發明。

1)一種濺射靶，其為包含In、Zn、O的濺射靶，其特征在于，Zn和In的原子比滿足0.05≤Zn/(In+Zn)≤0.30，并且該靶的濺射面內的體電阻率的標準偏差為1.0mΩ·cm以下。

2)如上述1)所述的濺射靶，其特征在于，所述濺射靶的體電阻率為1.0mΩ·cm～10mΩ·cm。

3)如上述1)或2)所述的濺射靶，其特征在于，所述濺射靶的相對密度為98％以上。

4)如上述1)至3)中任一項所述的濺射靶，其特征在于，濺射面的面積為60000mm²～400000mm²。

5)一種IZO燒結體，其為包含In、Zn、O的燒結體，其特征在于，Zn和In的原子比滿足0.05≤Zn/(In+Zn)≤0.30，并且翹曲量為2.0mm以內。