[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 201611242081.1
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN107039342A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 松岡祐哉;廣澤俊一郎;辻本浩平
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,于靖帥

技術領域

本發明涉及晶片的加工方法。

背景技術

已知當利用切削刀具對例如厚度為300μm以上的厚度較厚的晶片進行切割時，會大幅產生背面崩邊。因此，為了抑制背面崩邊，提出了一種叫做SDBG(Stealth Dicing Before Grinding：先隱形切割后減薄)法的加工方法。SDBG法是組合了激光加工方法和磨削方法的技術。更詳細地說，是如下技術：首先對晶片照射對于晶片具有透過性的波長的激光束而沿著分割預定線在規定的深度的位置(從晶片的正面起的深度相當于器件芯片的完工厚度以上的位置)形成改質層，并且形成從改質層朝向晶片的正面側伸長的裂紋層。之后，對晶片的背面進行磨削而將晶片薄化至完工厚度，并且通過磨削壓力以裂紋層為分割起點將晶片分割成各個器件芯片(例如，參照專利文獻1)。

專利文獻1：國際公開第2003/077295號

但是，當利用激光加工裝置在晶片上形成改質層之后，在利用搬送單元將晶片搬送至磨削裝置時，晶片因受改質層形成之后伸長的裂紋層的影響而較大地翹曲，存在搬送困難的擔心。

發明內容

本發明是鑒于上述情況而完成的，其目的在于，提供晶片的加工方法，能夠減少改質層形成后的晶片的翹曲并能夠進行搬送。

為了解決上述的課題并達成目的，本發明的晶片的加工方法對在正面上具有器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域的晶片進行加工，該器件區域形成有多個器件和多條分割預定線，其中，該晶片的加工方法具有如下的步驟：保護帶粘貼步驟，在該晶片的正面側粘貼保護帶；環狀加強部形成步驟，在實施了該保護帶粘貼步驟之后，通過磨削單元將與該器件區域對應的背面磨削至第1厚度，在與該外周剩余區域對應的背面形成環狀的加強部；改質層形成步驟，在實施了該環狀加強部形成步驟之后，將對于該晶片具有透過性的波長的激光束定位在該晶片的該器件區域的內部而從該晶片的背面沿著該分割預定線在該晶片的該器件區域的內部形成改質層；以及磨削步驟，在實施了該改質層形成步驟之后，從該晶片的背面通過磨削單元進行磨削而將晶片薄化至完工厚度，并且通過磨削動作以所述改質層為起點沿著所述分割預定線對該晶片進行分割。

并且，在晶片的加工方法中，優選還具有如下的環狀切削槽形成步驟：在實施該保護帶粘貼步驟之前，將該晶片的背面側吸引保持在進行旋轉的卡盤工作臺上，從該晶片的正面側利用切削刀具切入該外周剩余區域與該器件區域的邊界直到到達該第1厚度，并使該卡盤工作臺旋轉而在該外周剩余區域與該器件區域的邊界形成環狀的切削槽。

根據本申請發明的晶片的加工方法，能夠減少改質層形成后的晶片的翹曲并能夠進行搬送。

附圖說明

圖1是第一實施方式的晶片的加工方法的流程圖。

圖2是示出第一實施方式的晶片的加工方法的保護帶粘貼步驟中的晶片的結構例的剖視圖。

圖3是示出第一實施方式的晶片的加工方法的環狀加強部形成步驟中的磨削單元周邊的結構例的剖視圖。

圖4是示出第一實施方式的晶片的加工方法的改質層形成步驟中的激光加工單元周邊的結構例的剖視圖。

圖5是示出第一實施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結構例的剖視圖。

圖6是示出第一實施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的晶片的結構例的放大剖視圖。

圖7是示出第一實施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結構例的剖視圖。

圖8是第二實施方式的晶片的加工方法的流程圖。

圖9是示出第二實施方式的晶片的加工方法的環狀切削槽形成步驟中的切削單元周邊的結構例的剖視圖。

圖10是示出第二實施方式的晶片的加工方法的保護帶粘貼步驟中的晶片的結構例的剖視圖。

圖11是示出第二實施方式的晶片的加工方法的環狀加強部形成步驟中的磨削單元周邊的結構例的剖視圖。

圖12是示出第二實施方式的晶片的加工方法的改質層形成步驟中的激光加工單元周邊的結構例的剖視圖。

圖13是示出第二實施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結構例的剖視圖。

圖14是示出第二實施方式的晶片的加工方法的磨削步驟中的磨削單元周邊的結構例的剖視圖。

標號說明