[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 201611242081.1
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN107039342A
• 公開（公告）日: 2017-08-11
• 發明（設計）人: 松岡祐哉;廣澤俊一郎;辻本浩平
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司11127
• 代理人: 李輝,于靖帥

1.一種晶片的加工方法，對在正面上具有器件區域和圍繞該器件區域的外周剩余區域的晶片進行加工，該器件區域形成有多個器件和多條分割預定線，其中，該晶片的加工方法具有如下的步驟：

保護帶粘貼步驟，在該晶片的正面側粘貼保護帶；

環狀加強部形成步驟，在實施了該保護帶粘貼步驟之后，通過磨削單元將與該器件區域對應的背面磨削至第1厚度，在與該外周剩余區域對應的背面形成環狀的加強部；

改質層形成步驟，在實施了該環狀加強部形成步驟之后，將對于該晶片具有透過性的波長的激光束定位在該晶片的該器件區域的內部而從該晶片的背面沿著該分割預定線在該晶片的該器件區域的內部形成改質層；以及

磨削步驟，在實施了該改質層形成步驟之后，從該晶片的背面通過磨削單元進行磨削而將晶片薄化至完工厚度，并且通過磨削動作以所述改質層為起點沿著所述分割預定線對該晶片進行分割。

2.根據權利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

該晶片的加工方法還具有如下的環狀切削槽形成步驟：在實施該保護帶粘貼步驟之前，將該晶片的背面側吸引保持在進行旋轉的卡盤工作臺上，從該晶片的正面側利用切削刀具切入該外周剩余區域與該器件區域的邊界直到到達該第1厚度，并使該卡盤工作臺旋轉而在該外周剩余區域與該器件區域的邊界形成環狀的切削槽。