[發明專利]一種晶體的定向切割方法

有效

• 申請號: 201611241921.2
• 申請日: 2016-12-29
• 公開（公告）號: CN106738390B
• 公開（公告）日: 2019-06-04
• 發明（設計）人: 徐偉;李斌;王英民;毛開禮;周立平;侯曉蕊;何超;魏汝省;靳霄曦
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第二研究所
• 主分類號: B28D5/00
• 分類號: B28D5/00;B28D5/04;B28D7/04
• 代理公司: 山西華炬律師事務所 14106
• 代理人: 陳奇

本發明提供了一種晶體的定向切割方法，屬于半導體晶體材料切割技術領域。定向切割方法包括以下步驟：將切割底座與圓柱形晶體平整放置并接觸，在二者之間填充粘接劑；將切割底座與圓柱形晶體的上下左右均固定，靜置，使二者粘結在一起；將粘接好的晶體放置在X射線定向儀上，進行晶體底面定向測試，以確定切割線及切割面晶向；將粘接好的晶體及切割底座裝在多線切割機上，根據所述切割線及切割面晶向，調整切割角度，切割后就可以得出相應晶向的晶體切割片。本發明還涉及定位粘接裝置，使得切割石墨底座與晶體緊密粘接在一起，避免粘接劑在凝固過程中造成切割石墨底座與晶體底面偏差，保證晶體切割后晶向偏差控制在6’以內。

技術領域

本發明涉及半導體晶體材料切割技術領域，具體涉及一種晶體的定向切割方法。

背景技術

多線切割機主要用于定向切割半導體晶體材料，切割前晶體的定位粘接是晶體材料加工過程中的一個關鍵步驟。由于切割后晶圓晶向的要求很高，這就需要在晶體材料加工過程中對切割前晶體定位的粘接要求就嚴格，以保證晶體材料在多線切割的過程中按既定的晶向進行切割。目前，在國內晶體材料的多線切割過程中采用手工粘接，產品一致性差，同時在粘接劑凝固過程中容易造成晶體與切割底座角度偏差，切割后晶片的晶向偏差大。

發明內容

本發明提出一種晶體的定向切割方法，以解決現有技術中因手工粘接造成的晶體與切割底座角度偏差，切割后晶片的晶向偏差大等問題。

本發明的技術方案是這樣實現的：

一種晶體的定向切割方法，基于一種晶體的定位粘接裝置；晶體的定位粘接裝置，包括：底板，其兩端設有向上的折邊，其中一個折邊上設有通孔；2塊側板，分別設于底板的兩側，2塊側板的內側上端分別設有滑槽；用于分別固定切割底座與晶體的兩個旋轉頂桿，包括：內桿、與內桿上部相配合旋轉的外桿、與外桿下端固連的支撐片和套設在內桿下部的彈簧，彈簧位于支撐片的下方，支撐片的兩端分別卡在2塊側板的滑槽內；用于固定晶體頂部的支撐托桿，設于通孔處；晶體的定向切割方法，包括以下步驟：S1、將切割底座與圓柱形晶體平整放置并接觸，在二者之間填充粘接劑；S2、將切割底座與圓柱形晶體的上下左右均固定，靜置，使二者粘結在一起；S3、將粘接好的晶體放置在X射線定向儀上，進行晶體底面定向測試，以確定切割線及切割面晶向；步驟S3包括：S31、先依據晶體的晶向確定主副參考邊，即大邊和小邊；S32、根據大邊和小邊，測出晶體4個點的角度值，每個測試點相隔90°相鄰兩個測試點的角度值相差4°，找出角度值相同的兩個點，該兩點的連線即為切割線；S4、將粘接好的晶體及切割底座裝在多線切割機上，根據所述切割線及切割面晶向，調整切割角度，切割后就可以得出相應晶向的晶體切割片。

作為本發明的進一步改進，步驟S2中，靜置2小時以上。

作為本發明的進一步改進，晶體的定位粘接裝置還包括：固定塊，設于晶體頂部與支撐托桿之間。

作為本發明的進一步改進，一塊側板與底板固連，另一塊側板與底板活動連接。

本發明的有益效果如下：

本發明晶體的定向切割方法基于一種晶體的定位粘接裝置，使得切割石墨底座與晶體緊密粘接在一起，避免粘接劑在凝固過程中造成切割石墨底座與晶體底面偏差，保證晶體切割后晶向偏差控制在6’以內。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是實施例中4H-SiC碳化硅晶體晶向的測試圖；

圖2是實施例中定位粘接裝置的結構分解示意圖；

圖3是實施例中定位粘接裝置的結構示意圖。