[發明專利]一種掩膜及包含該掩膜的設備在審
| 申請號: | 201611241237.4 | 申請日: | 2016-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN106842813A | 公開(公告)日: | 2017-06-13 |
| 發明(設計)人: | 王松;張瑞軍;李培宏 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/50 | 分類號: | G03F1/50;G03F7/20;G02F1/13 |
| 代理公司: | 北京聿宏知識產權代理有限公司11372 | 代理人: | 吳大建 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 包含 設備 | ||
技術領域
本發明涉及液晶顯示面板制程領域,尤其涉及液晶顯示面板制程中使用的一種掩膜及包含該掩膜的設備。
背景技術
液晶顯示面板制程主要包括涂布、曝光、顯影、刻蝕、剝離過程,所謂曝光,就是將掩膜上描繪的控制液晶分子所需要的電路圖形及顯示圖像用的像素圖形等轉寫在玻璃基板上。在這一過程中,掩膜起著至關重要的作用,因此掩膜的種類和工藝對液晶顯示面板的制程產生了很大的影響。
用選定的圖像、圖形或物體,對處理的圖像(全部或局部)進行遮擋,來控制圖像處理的區域或處理過程,用于覆蓋的特定圖像或物體稱為掩膜或模板。光學圖像處理中,掩膜可以是膠片、濾光片等。數字圖像處理中,掩膜為二維矩陣數組,有時也用多值圖像。數字圖像處理中,圖像掩膜主要用于:(1)提取感興趣區,用預先制作的感興趣區掩膜與待處理圖像相乘,得到感興趣區圖像,感興趣區內圖像值保持不變,而區外圖像值都為0;(2)屏蔽作用,用掩膜對圖像上某些區域作屏蔽,使其不參加處理或不參加處理參數的計算,或僅對屏蔽區作處理或統計;(3)結構特征提取,用相似性變量或圖像匹配方法檢測和提取圖中與掩膜相似的結構特征;(4)特殊形狀圖像的制作。
液晶顯示面板制作過程中,對封框膠進行固化時,就采用上述第(2)中屏蔽作用,即采用掩膜對顯示區域進行遮光,只針對框膠進行曝光。目前,在對封框膠進行固化時,使用的掩膜采用玻璃表面鍍不透光膜的制作方法,但由于不同液晶顯示面板的框膠位置各異,因此當對不同尺寸顯示面板的框膠進行固化時,需要手動更換掩膜,導致掩膜種類繁多,且更換掩膜時,需要工作機臺閑置,降低了機臺的使用效率。
發明內容
針對現有技術中的用于固化封框膠掩膜數量種類繁多,更換掩膜時影響機臺效率問題,本發明提出了一種掩膜,并進一步提出了包含該掩膜的設備。
本發明提出的掩膜,包括X偏光片、Y偏光片,X偏光片的偏振方向與Y偏光片的偏振方向相互垂直,X偏光片設置在X平面內,Y偏光片設置在Y平面內,X平面與Y平面平行設置,X偏光片在X平面內沿X向設置,Y偏光片在Y平面內沿Y向設置,且X向與Y向之間的夾角大于0度。
X平面或Y平面的法線方向定義為Z向,沿Z向方向觀測,X偏光片與Y偏光片交疊設置,X偏光片與Y偏光片的交疊區域形成第一交疊區域,該第一交疊區域阻擋光線透過,第一交疊區域之外的區域允許光線透過。
根據本領域常識可知,偏光片只允許一個方向的偏振光通過,當兩個偏振方向相互垂直的偏光片交疊設置時,交疊區域將沒有光線通過,因此第一交疊區域不允許曝光光線透過。可以用第一交疊區域將基板上不需要曝光處理部分遮蓋住,曝光光線透過第一交疊區域之外的區域,并對第一交疊區域之外的區域進行曝光處理,此種掩膜不再需要另外使用帶有不透光膜的玻璃,而是采用現有的偏光片構成掩膜,節省了材料和制作掩膜的工藝。
作為對本發明的掩膜的進一步改進,X偏光片呈長方形,Y偏光片呈長方形,將X向與Y向之間的夾角設置為90度,當沿Z向觀測時,第一交疊區域沿X向的寬度等于Y偏光片在X向的寬度,第一交疊區域沿Y向的寬度等于X偏光片在Y向的寬度。
在對液晶顯示面板的封框膠進行固化時,選取在Y向的寬度與液晶區在Y向寬度相匹配的X偏光片,且選取在X向的寬度與液晶區在X向寬度相匹配的Y偏光片,這樣使得第一交疊區域的面積與液晶區面積相匹配,因此第一交疊區域可以將液晶區完全遮蓋,保護液晶區免受曝光光線的破壞,曝光光線對液晶區外的封框膠進行固化,這樣在對液晶顯示面板的封框膠進行固化時,就可以使用現有的偏光片正交重疊構成掩膜,省去了另外制作掩膜的工藝和材料。
作為對本發明的掩膜的進一步改進,所述X偏光片數量設置為多個,多個X偏光片均位于不同的平面內,多個X偏光片相互平行設置,每個X偏光片在所屬的平面內沿X向設置,沿所述Z向觀測,多個所述X偏光片沿Y向的對稱軸相互重合,多個所述X偏光片沿Y向依次排列,每相鄰的兩個所述X偏光片交疊設置,多個所述X偏光片構成X組合偏光片。
沿所述Z向觀測,所述Y偏光片與所述X組合偏光片的交疊區域構成第二交疊區域,所述第二交疊區域沿X向的寬度等于所述Y偏光片在X向的寬度,所述第二交疊區域沿Y向的寬度等于所述X組合偏光片在Y向的寬度,通過調節X偏光片相互之間的交疊程度調節所述第二交疊區域沿Y向的寬度,所述第二交疊區域阻擋光線透過,第二交疊區域之外的區域允許光線透過。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





