[發(fā)明專利]芯片封裝基板、芯片封裝結(jié)構(gòu)及二者的制作方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611240676.3 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-28 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108257875B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 黃昱程 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 碁鼎科技秦皇島有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/48 | 分類號(hào): | H01L21/48;H01L23/498;H05K1/18;H05K3/28 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44334 | 代理人: | 饒婕 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 國(guó)省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 封裝 結(jié)構(gòu) 二者 制作方法 | ||
一種芯片封裝基板的制作方法,其包括步驟:提供第一載板,所述第一載板至少包括有第一電鍍種子層,在所述第一電鍍種子層的表面電鍍形成第一導(dǎo)電線路層;在所述第一導(dǎo)電線路層表面涂布防焊油墨,將所述防焊油墨形成覆蓋所述第一導(dǎo)電線路層的第一介電層;在所述第一介電層的背離所述第一導(dǎo)電線路層的表面形成第二導(dǎo)電線路層;在所述第二導(dǎo)電線路層的表面形成第二介電層,所述第二介電層包括有多個(gè)開(kāi)口,所述開(kāi)口顯露部分所述第二導(dǎo)電線路層,顯露的部分所述第二導(dǎo)電線路層形成為第二焊墊;從所述第一導(dǎo)電線路層的表面移除所述第一載板,將部分所述第一導(dǎo)電線路層形成第一焊墊,從而便可得到所述芯片封裝基板。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種芯片封裝基板、芯片封裝結(jié)構(gòu)及二者的制作方法。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體器件尺寸的不斷減小,具有半導(dǎo)體器件的層疊封裝結(jié)構(gòu)也逐漸地備受關(guān)注。層疊封裝結(jié)構(gòu)一般通過(guò)層疊制作方法制成。常規(guī)的芯片封裝基板通常采用玻離纖維布作為介電層,導(dǎo)致最終制作形成的芯片封裝基板較厚,且由于導(dǎo)電線路是采用蝕刻形成,從而不能制作出細(xì)線路,不能實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電線路的高密度與高集成度。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,有必要提供一種能夠解決上述技術(shù)問(wèn)題的芯片封裝基板、芯片封裝結(jié)構(gòu)及二者的制作方法。
一種芯片封裝基板的制作方法,其包括步驟:
提供第一載板,所述第一載板至少包括有第一電鍍種子層,在所述第一電鍍種子層的表面電鍍形成第一導(dǎo)電線路層;
在所述第一導(dǎo)電線路層表面涂布防焊油墨,將所述防焊油墨形成覆蓋所述第一導(dǎo)電線路層的可彎折的第一介電層;
在所述第一介電層的背離所述第一導(dǎo)電線路層的表面形成第二導(dǎo)電線路層;
在所述第二導(dǎo)電線路層的表面涂布防焊油墨形成可彎折的第二介電層,所述第二介電層包括有多個(gè)開(kāi)口,所述開(kāi)口顯露部分所述第二導(dǎo)電線路層,顯露的部分所述第二導(dǎo)電線路層形成為第二焊墊;
從所述第一導(dǎo)電線路層的表面移除所述第一載板,將部分所述第一導(dǎo)電線路層形成第一焊墊,從而便可得到所述芯片封裝基板。
一種芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法,其包括步驟:
提供第一載板,所述第一載板至少包括有第一電鍍種子層,在所述第一電鍍種子層的表面電鍍形成第一導(dǎo)電線路層;
在所述第一導(dǎo)電線路層表面涂布防焊油墨,將所述防焊油墨形成覆蓋所述第一導(dǎo)電線路層的可彎折的第一介電層;
在所述第一介電層的背離所述第一導(dǎo)電線路層的表面形成第二導(dǎo)電線路層;
在所述第二導(dǎo)電線路層的表面形成可彎折的第二介電層,所述第二介電層包括有多個(gè)開(kāi)口,所述開(kāi)口顯露部分所述第二導(dǎo)電線路層,顯露的部分所述第二導(dǎo)電線路層形成為第二焊墊;
從所述第一導(dǎo)電線路層的表面移除所述第一載板,將部分所述第一導(dǎo)電線路層形成第一焊墊;
在所述第一焊墊上設(shè)置第一芯片;從而便可得到所述芯片封裝基板。
一種芯片封裝基板,其包括:第一介電層、嵌入在所述第一介電層內(nèi)的第一導(dǎo)電線路層、形成在所述第一介電層的背離所述第一導(dǎo)電線路層所在表面的第二導(dǎo)電線路層、形成在第二導(dǎo)電線路層表面的第二介電層以及形成在所述第一導(dǎo)電線路層及第一介電層表面的防焊層;且所述第一導(dǎo)電線路層所在的表面不高于所述第一介電層所在的表面,所述防焊層顯露部分所述第一導(dǎo)電線路層,所述第二介電層顯露部分所述第二導(dǎo)電線路層,所述防焊層顯露的部分所述第一導(dǎo)電線路層形成為第一焊墊,所述第二介電層顯露的部分所述第二導(dǎo)電線路層形成為第二焊墊,所述第一介電層及所述第二介電層為熱固型防焊油墨經(jīng)固化后形成且均可彎折。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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