[發明專利]芯片封裝基板、芯片封裝結構及二者的制作方法有效
| 申請號: | 201611240676.3 | 申請日: | 2016-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN108257875B | 公開(公告)日: | 2021-11-23 |
| 發明(設計)人: | 黃昱程 | 申請(專利權)人: | 碁鼎科技秦皇島有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/48 | 分類號: | H01L21/48;H01L23/498;H05K1/18;H05K3/28 |
| 代理公司: | 深圳市賽恩倍吉知識產權代理有限公司 44334 | 代理人: | 饒婕 |
| 地址: | 066004 河北省*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 芯片 封裝 結構 二者 制作方法 | ||
1.一種芯片封裝基板的制作方法,其包括步驟:
提供第一載板,所述第一載板至少包括有第一電鍍種子層,在所述第一電鍍種子層的表面電鍍形成第一導電線路層;
在所述第一導電線路層表面涂布防焊油墨,將所述防焊油墨形成覆蓋所述第一導電線路層的可彎折的第一介電層,所述第一介電層的厚度介于10至20微米之間;
在所述第一介電層的背離所述第一導電線路層的表面形成第二導電線路層;
在所述第二導電線路層的表面涂布防焊油墨形成可彎折的第二介電層,所述第二介電層的厚度介于10至20微米之間,所述第二介電層包括有多個開口,所述開口顯露部分所述第二導電線路層,顯露的部分所述第二導電線路層形成為第二焊墊;
在所述第二介電層及所述第二焊墊的表面壓合一個第二載板;所述第二載板為:雙面覆銅基板及形成在所述雙面覆銅基板包括的其中一個銅箔層的表面的散熱膜,且所述散熱膜覆蓋在所述第二介電層及所述第二焊墊的表面;所述散熱膜在特定溫度之下具有粘性能與所述第二焊墊及所述第二介電層粘貼在一起,當升溫到超過所述特定溫度,其粘性消失,而從所述第二焊墊及所述第二介電層的表面散開脫落暴露出所述第二焊墊;
從所述第一導電線路層的表面移除所述第一載板,將部分所述第一導電線路層形成第一焊墊;以及
移除第二載板,從而便可得到所述芯片封裝基板。
2.如權利要求1所述的芯片封裝基板的制作方法,其特征在于,所述防焊油墨為熱固型防焊油墨,且提供的所述第一載板還包括第一基材層、形成在所述第一基材層表面的第一銅箔層,形成在所述第一銅箔層表面的離型膜,所述第一電鍍種子層形成在所述離型膜表面。
3.如權利要求1所述的芯片封裝基板的制作方法,其特征在于,在形成所述第一介電層之后還包括在所述第一介電層表面形成第二電鍍種子層及在所述第一介電層中形成第一導電孔,所述第一導電孔用于電性導通第一導電線路層及第二導電線路層。
4.如權利要求2所述的芯片封裝基板的制作方法,其特征在于,從所述第一導電線路層的表面移除所述第一載板的方法包括:
利用所述離型膜將所述離型膜與所述第一電鍍種子層分離;
對所述第一電鍍種子層進行快速蝕刻以去掉所述第一電鍍種子層,以暴露所述第一介電層及所述第一導電線路層。
5.如權利要求4所述的芯片封裝基板的制作方法,其特征在于,蝕刻去掉所述第一電鍍種子層之后還包括在所述第一介電層及所述第一導電線路層的表面形成防焊層,所述防焊層顯露部分所述第一導電線路層形成為第一焊墊。
6.一種芯片封裝結構的制作方法,其包括步驟:
提供第一載板,所述第一載板至少包括有第一電鍍種子層,在所述第一電鍍種子層的表面電鍍形成可彎折的第一導電線路層;
在所述第一導電線路層表面涂布防焊油墨,將所述防焊油墨固化形成覆蓋所述第一導電線路層的第一介電層,所述第一介電層的厚度介于10至20微米之間;
在所述第一介電層的背離所述第一導電線路層的表面形成第二導電線路層;
在所述第二導電線路層的表面涂布防焊油墨形成可彎折的第二介電層,所述第二介電層的厚度介于10至20微米之間,所述第二介電層包括有多個開口,所述開口顯露部分所述第二導電線路層,顯露的部分所述第二導電線路層形成為第二焊墊;
在所述第二介電層及所述第二焊墊的表面壓合一個第二載板;所述第二載板為:雙面覆銅基板及形成在所述雙面覆銅基板包括的其中一個銅箔層的表面的散熱膜,且所述散熱膜覆蓋在所述第二介電層及所述第二焊墊的表面;所述散熱膜在特定溫度之下具有粘性能與所述第二焊墊及所述第二介電層粘貼在一起,當升溫到超過所述特定溫度,其粘性消失,而從所述第二焊墊及所述第二介電層的表面散開脫落暴露出所述第二焊墊;
從所述第一導電線路層的表面移除所述第一載板,將部分所述第一導電線路層形成第一焊墊;
在所述第一焊墊上設置第一芯片,在所述第一芯片的周圍設置封裝膠體以包覆所述第一芯片;
移除第二載板;
以及在所述第二焊墊上設置錫球,從而便可得到所述芯片封裝結構。
7.如權利要求6所述的芯片封裝結構的制作方法,其特征在于,移除第二載板的方法包括:加熱使所述散熱膜失去粘性從而使所述第二載板從所述第二介電層上脫落。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
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