[發明專利]一種內存電壓拉偏測試系統

在審

• 申請號: 201611238875.0
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106844117A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 鄧建廷;李瑞軒;胡遠明
• 申請（專利權）人: 曙光信息產業（北京）有限公司
• 主分類號: G06F11/22
• 分類號: G06F11/22
• 代理公司: 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409
• 代理人: 章社杲,盧軍峰

技術領域

本發明涉及計算機領域，具體來說，涉及一種內存電壓拉偏測試系統。

背景技術

目前，在服務器領域中，內存的傳輸速度是衡量內存性能的重要指標之一，例如，DDR3(Double-Data-Rate Three Synchronous Dynamic Random Access Memory，第三代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器)最高傳輸速率為2133MHz，而DDR4(Double-Data-Rate Four Synchronous Dynamic Random Access Memory，第四代雙倍數據率同步動態隨機存取存儲器)傳輸速率則是從2133MHz起，最高可高達4266MHz，同時，服務器對于性能的要求也越來越高，因此，應對與如此高的內存傳輸速率，如何保證內存讀寫高可靠性是服務器研發人員在測試內存時所必須解決的難題。

在當前的內存測試中，大多集中在帶寬、讀寫速度等信號測試，少部分會涉及到電壓的拉偏測試，該電壓拉偏測試是把內存電壓調整至內存可以運行的最惡劣條件，通過分析內存在這種惡劣條件下，系統運行情況，來判斷被測內存是否兼容該服務器系統，然而目前電壓拉偏測試的范圍比較固定，而且多是集中在DDR3的測試，例如，對于普通的DDR3內存顆粒，JEDEC(固態技術協會是微電子產業的領導標準機構)標準規定如下：VDD電壓為內存顆粒供電電壓，并且VDD＝1.5V±0.075V，即將內存的供電電壓的取值范圍為1.425V～1.575V，并通過在測試中，我們可以將VDD電壓分別拉低和拉高到1.4V或1.6V，但是實際測試中，需要測試人員手動修改反饋電阻的方式，將輸出電壓更改為1.4V進行測試，在上述測試完成之后，測試平臺下電，測試人員再通過修改反饋電阻的方式，將輸出電壓更改為1.6V，再次進行測試，因此，該電壓測試操作較為繁瑣，而且由于手動調節的原因，電壓拉偏精度也不夠高，不能準確地反映內存可靠性問題。

針對相關技術中的問題，目前尚未提出有效的解決方案。

發明內容

針對相關技術中的問題，本發明提出一種內存電壓拉偏測試系統，能夠提高電壓拉偏的精度，也避免了人工重復修改反饋電阻的情況，同時該測試也提高了內存測試的可靠性和穩定性測試，也避免后期服務器產品因電壓問題導致內存失效的情況。

本發明的技術方案是這樣實現的：

根據本發明的一個方面，提供了一種內存電壓拉偏測試系統。

該內存電壓拉偏測試系統包括：電源模塊、降壓轉換器模塊、PMU模塊、內存模塊，其中，降壓轉換器模塊，分別與電源模塊和內存模塊連接，用于將電源模塊的輸入電壓降壓轉換為第一電壓，并且將第一電壓輸出至內存模塊；PMU模塊，與降壓轉換器模塊連接，用于調節第一電壓。

根據本發明的一個實施例，降壓轉換器模塊包括：第一反饋模塊、第一電壓輸出模塊。

根據本發明的一個實施例，PMU模塊包括：第二反饋模塊、第二電壓輸出模塊。

根據本發明的一個實施例，降壓轉換器模塊與內存模塊連接包括：第一電壓輸出模塊與內存模塊連接。

根據本發明的一個實施例，PMU模塊與降壓轉換器模塊連接進一步包括：第一電壓輸出模塊分別與第二反饋模塊和電阻R2的一端連接，并且電阻R2的另一端分別與第一反饋模塊和電阻R1的一端連接，以及電阻R1的另一端接地，以及第二電壓輸出模塊分別連接第二反饋模塊和電阻R3的一端連接，以及電阻R3的另一端與第一反饋模塊連接，以及第一反饋模塊與第一輸出模塊連接。

根據本發明的一個實施例，降壓轉換器模塊包括：第一降壓轉換器模塊、第二降壓轉換器模塊、第三轉換器模塊。

根據本發明的一個實施例，降壓轉換器模塊，分別與電源模塊和內存模塊連接，將電源模塊的輸入電壓降壓轉換為第一電壓包括：第一降壓轉換器模塊，分別與電源模塊和內存模塊連接，用于將電源模塊的輸入電壓降壓轉換為VDD電壓，并將VDD電壓輸出至內存模塊；第二降壓轉換器模塊，分別與電源模塊和內存模塊連接，用于將電源模塊的輸入電壓降壓轉換為VPP電壓，并將VPP電壓輸出輸出至內存模塊；第三降壓轉換器模塊，分別與電源模塊和內存模塊連接，用于將電源模塊的輸入電壓降壓轉換為VTT電壓，并將VTT電壓輸出輸出至內存模塊。

本發明的有益技術效果在于：

本發明通過PMU模塊調節電壓轉換器的輸出電壓，從而提高了電壓拉偏的精度，也避免了人工重復修改反饋電阻造成的精度不高的問題，同時該測試也提高了內存測試的可靠性和穩定性測試，也避免后期服務器產品因電壓問題導致內存失效的情況。