[發明專利]一種內存電壓拉偏測試系統在審
| 申請號： | 201611238875.0 | 申請日： | 2016-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN106844117A | 公開（公告）日： | 2017-06-13 |
| 發明（設計）人： | 鄧建廷;李瑞軒;胡遠明 | 申請（專利權）人： | 曙光信息產業（北京）有限公司 |
| 主分類號： | G06F11/22 | 分類號： | G06F11/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知識產權代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,盧軍峰 |
| 地址： | 100193 北京*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 內存 電壓 測試 系統 | ||
1.一種內存電壓拉偏測試系統，其特征在于，包括電源模塊、降壓轉換器模塊、PMU模塊、內存模塊，
其中，所述降壓轉換器模塊，分別與所述電源模塊和所述內存模塊連接，用于將所述電源模塊的輸入電壓降壓轉換為第一電壓，并且將所述第一電壓輸出至所述內存模塊；
所述PMU模塊，與所述降壓轉換器模塊連接，用于調節所述第一電壓。
2.根據權利要求1所述的內存電壓拉偏測試系統，其特征在于，所述降壓轉換器模塊包括：第一反饋模塊、第一電壓輸出模塊。
3.根據權利要求2所述的內存電壓拉偏測試系統，其特征在于，所述PMU模塊包括：第二反饋模塊、第二電壓輸出模塊。
4.根據權利要求3所述的內存電壓拉偏測試系統，其特征在于，所述降壓轉換器模塊與所述內存模塊連接包括：
所述第一電壓輸出模塊與所述內存模塊連接。
5.根據權利要求4所述的內存電壓拉偏測試系統，其特征在于，所述PMU模塊與所述降壓轉換器模塊連接包括：
所述第一電壓輸出模塊分別與所述第二反饋模塊和電阻R2的一端連接，并且所述電阻R2的另一端分別與所述第一反饋模塊和電阻R1的一端連接，以及所述電阻R1的另一端接地，以及所述第二電壓輸出模塊分別連接所述第二反饋模塊和電阻R3的一端連接，以及所述電阻R3的另一端與所述第一反饋模塊連接，以及所述第一反饋模塊與第一輸出模塊連接。
6.根據權利要求5所述的內存電壓拉偏測試系統，其特征在于，所述降壓轉換器模塊包括：
第一降壓轉換器模塊、第二降壓轉換器模塊、第三轉換器模塊。
7.根據權利要求6所述的內存電壓拉偏測試系統，其特征在于，所述降壓轉換器模塊，分別與所述電源模塊和所述內存模塊連接，將所述電源模塊的輸入電壓降壓轉換為第一電壓包括：
所述第一降壓轉換器模塊，分別與所述電源模塊和所述內存模塊連接，用于將所述電源模塊的輸入電壓降壓轉換為VDD電壓，并將所述VDD電壓輸出至所述內存模塊；
所述第二降壓轉換器模塊，分別與所述電源模塊和所述內存模塊連接，用于將所述電源模塊的輸入電壓降壓轉換為VPP電壓，并將所述VPP電壓輸出輸出至所述內存模塊；
所述第三降壓轉換器模塊，分別與所述電源模塊和所述內存模塊連接，用于將所述電源模塊的輸入電壓降壓轉換為VTT電壓，并將所述VTT電壓輸出輸出至所述內存模塊。
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