[發明專利]使大功率LED恒流驅動芯片適應輸入電壓變化的方法

在審

• 申請號: 201611238590.7
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN108260244A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發明（設計）人: 王冠紅
• 申請（專利權）人: 哈爾濱東專科技有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 哈爾濱東方專利事務所 23118
• 代理人: 陳曉光

使大功率LED恒流驅動芯片適應輸入電壓變化的方法。傳統芯片典型應用方案輸入電壓變化幅度不超過±10%，如果超過該范圍，輸出電流精度誤差將顯著增加。使大功率LED恒流驅動芯片適應輸入電壓變化的方法，當輸入電壓VIN接通后，電壓調節器高壓LDO開始工作，為模擬控制電路部分提供5 V的電源VOUT。當欠壓鎖存單元(UVLO)監測到LDO的輸出達到4 V時，會向偏置電路模塊、過熱保護電路模塊、邏輯控制電路模塊和驅動電路模塊發出使能信號(EN)，此時芯片整個系統開始工作，內置NLDMOS功率器件M1導通，電感L的電流開始上升，由于采樣電阻RSNS上的電流等于電感L上的電流，該電流流過反饋電阻RSNS后，產生一個反饋電壓VSNS，VSNS會通過Vfb引腳反饋到芯片內部，而Vfb引腳內會產生一個由芯片內部基準產生的參考電壓Vref(設計芯片為200 mV)，此時芯片中的比較器會將反饋電壓VSNS和參考電壓Vref進行比較，如果反饋電壓VSNS低于參考電壓Vref，那么芯片會使內部的NLDMOS導通，導通的時間TON是由與clt引腳相連的電阻RON和輸入電壓VIN所決定的。導通時間TON結束后，NLDMOS會關斷一個時間，把這個時間稱之為最小關斷時間TOFF?MIN(設計的芯片最小關斷時間為200 ns)。最小關斷時間TOFF?MIN結束以后，芯片對VSNS和參考電壓Vref進行比較，如果VSNS小于Vref，M1導通，開始下一次的循環工作，再次比較反饋電壓VSNS和參考電壓Vref之間的大小。本發明用于大功率LED恒流驅動芯片的外界環境適應。

技術領域：

本發明涉及一種使大功率LED恒流驅動芯片適應輸入電壓變化的方法。

背景技術：

LED憑借能源消耗低、發光效率高、環保、使用壽命長、安全可靠等眾多優勢在照明領域獲得一席之地，并有不斷擴大的趨勢，同樣LED 照明產業也帶來了十分顯著的經濟效益和社會效益。因此，LED照明的迅速普及也帶動了LED驅動芯片產業的蓬勃發展，使得LED驅動芯片已成為電源管理電路市場的重要組成部分。由于LED照明的光亮度與其導通電流的強度密切相關，恒流驅動是最理想的選擇。而傳統的芯片的典型應用方案對輸入電壓變化幅度要求較高，一般不超過±10%，如果輸入電壓變化幅度超過這個范圍，輸出電流精度誤差將顯著增加，所以在傳統芯片的基礎上設計一種大功率LED恒流驅動芯片以適應輸入電壓變化。

發明內容：

本發明的目的是提供一種使大功率LED恒流驅動芯片適應輸入電壓變化的方法。

上述的目的通過以下的技術方案實現：