[發(fā)明專利]使大功率LED恒流驅(qū)動芯片適應(yīng)輸入電壓變化的方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611238590.7
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN108260244A
• 公開（公告）日: 2018-07-06
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王冠紅
• 申請（專利權(quán)）人: 哈爾濱東專科技有限公司
• 主分類號: H05B33/08
• 分類號: H05B33/08
• 代理公司: 哈爾濱東方專利事務(wù)所 23118
• 代理人: 陳曉光

1.一種使大功率LED恒流驅(qū)動芯片適應(yīng)輸入電壓變化的方法，其特征是：當(dāng)輸入電壓VIN接通后，電壓調(diào)節(jié)器高壓LDO開始工作，為模擬控制電路部分提供5 V的電源VOUT。當(dāng)欠壓鎖存單元(UVLO)監(jiān)測到LDO的輸出達(dá)到4 V時，會向偏置電路模塊、過熱保護(hù)電路模塊、邏輯控制電路模塊和驅(qū)動電路模塊發(fā)出使能信號(EN)，此時芯片整個系統(tǒng)開始工作，內(nèi)置NLDMOS功率器件M1導(dǎo)通，電感L的電流開始上升，由于采樣電阻RSNS上的電流等于電感L上的電流，該電流流過反饋電阻RSNS后，產(chǎn)生一個反饋電壓VSNS，VSNS會通過Vfb引腳反饋到芯片內(nèi)部，而Vfb引腳內(nèi)會產(chǎn)生一個由芯片內(nèi)部基準(zhǔn)產(chǎn)生的參考電壓Vref(設(shè)計芯片為200mV)，此時芯片中的比較器會將反饋電壓VSNS和參考電壓Vref進(jìn)行比較，如果反饋電壓VSNS低于參考電壓Vref，那么芯片會使內(nèi)部的NLDMOS導(dǎo)通，導(dǎo)通的時間TON是由與clt引腳相連的電阻RON和輸入電壓VIN所決定的。導(dǎo)通時間TON結(jié)束后，NLDMOS會關(guān)斷一個時間，把這個時間稱之為最小關(guān)斷時間TOFF-MIN(設(shè)計的芯片最小關(guān)斷時間為200 ns)。最小關(guān)斷時間TOFF-MIN結(jié)束以后，芯片對VSNS和參考電壓Vref進(jìn)行比較，如果VSNS小于Vref，M1導(dǎo)通，開始下一次的循環(huán)工作，再次比較反饋電壓VSNS和參考電壓Vref之間的大小。另外，當(dāng)NLDMOS導(dǎo)通時，如果外部元件如電阻RON和電感L的取值不恰當(dāng)，例如電阻RON過大或者電感L過小，從而導(dǎo)致Vfb上的電壓降超過300 mV，此時連接在Vfb端的另外一個比較器的輸出信號狀態(tài)會翻轉(zhuǎn)，強(qiáng)制NLDMOS關(guān)斷，芯片停止工作，所述的芯片共有8個管腳，重要的管腳有輸入腳VIN、開關(guān)腳SW、功率NLDMOS的驅(qū)動模塊浮動電源腳VCC以及接地腳VSS。在芯片應(yīng)用中電源腳VCC和開關(guān)腳SW之間要連接一個電容，因此，把電源腳VCC的焊盤放置在靠近開關(guān)腳SW的地方。此外芯片周圍都是接地線，對接地腳VSS焊盤放置的設(shè)計主要考慮到接地腳VSS需要靠近電壓參考源模塊，其他管腳焊盤的放置主要從節(jié)省芯片面積來考慮。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的使大功率LED恒流驅(qū)動芯片適應(yīng)輸入電壓變化的方法，其特征是：

所述的邏輯控制電路分別與導(dǎo)通時間控制電路、最小關(guān)斷時間電路、欠壓保護(hù)電路、TSD過熱保護(hù)電路、電平轉(zhuǎn)換電路、限流定時器連接，所述的電平轉(zhuǎn)換電路與柵極驅(qū)動欠壓保護(hù)電路連接，所述的限流定時器與BUCK開關(guān)電流檢測電路連接，所述的柵極驅(qū)動欠壓保護(hù)電路與電壓調(diào)節(jié)器高壓LDO連接，所述的BUCK開關(guān)電流檢測電路分別與所述的電平轉(zhuǎn)換電路、所述的柵極驅(qū)動欠壓保護(hù)電路、所述的電壓調(diào)節(jié)器高壓LDO連接。