[發(fā)明專利]巖層電阻率校正方法及裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611236577.8
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106802433B
• 公開（公告）日: 2019-03-12
• 發(fā)明（設計）人: 肖承文;章成廣;信毅;唐軍;陳偉中;鄭恭明;周磊;韓闖;趙新建;曹軍濤
• 申請（專利權(quán)）人: 中國石油天然氣股份有限公司
• 主分類號: G01V3/38
• 分類號: G01V3/38;G01V3/20;E21B49/00
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 張洋;黃健

1.一種巖層電阻率校正方法，其特征在于，包括：

測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述模擬應力包括：模擬張性應力或模擬壓性應力，當所述模擬應力為所述模擬張性應力時，所述壓力差為軸壓與圍壓之差，當所述模擬應力為所述模擬壓性應力時，所述壓力差為圍壓與軸壓之差；

分別根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻，確定所述不同壓力差下巖心的電阻率；

根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應力下的電阻率校正系數(shù)；

根據(jù)所述模擬應力下的電阻率校正系數(shù)，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，其中，所述應力類型包括：張性應力或壓性應力。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，確定所述模擬應力下的電阻率校正系數(shù)，包括：

根據(jù)所述不同壓力差下巖心的電阻率，采用數(shù)學擬合方式確定所述模擬應力下的電阻率校正系數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，若所述模擬應力包括：模擬張性應力，所述根據(jù)所述模擬應力下的電阻率校正系數(shù)，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，包括：

根據(jù)所述模擬張性應力下的電阻率校正系數(shù)，對測量得到的張性應力下的巖層電阻率進行校正。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述模擬張性應力下的電阻率校正系數(shù)，對測量得到的張性應力下的巖層電阻率進行校正，包括：

根據(jù)公式r_t1＝r_c1×A₁×P₁+B₁×P₁+C₁，得到對所述張性應力下的巖層電阻率校正后的電阻率；

其中，r_t1為所述校正后的電阻率，r_c1為所述測量得到的張性應力下的巖層電阻率，P₁為測量所述巖層電阻率時的壓力差，A₁、B₁以及C₁屬于所述模擬張性應力下的電阻率校正系數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，若所述模擬應力包括：模擬壓性應力，所述根據(jù)所述模擬應力下的電阻率校正系數(shù)，對測量得到的對應應力類型下的巖層電阻率進行校正，包括：

根據(jù)所述模擬壓性應力下的電阻率校正系數(shù)，對測量得到的壓性應力下的巖層電阻率進行校正。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述根據(jù)所述模擬壓性應力下的電阻率校正系數(shù)，對測量得到的壓性應力下的巖層電阻率進行校正，包括：

根據(jù)公式r_t2＝r_c2×A₂×P₂+B₂×P₂+C₂，得到對所述壓性應力下的巖層電阻率校正后的電阻率；

其中，r_t2為所述校正后的電阻率，r_c2為所述測量得到的壓性應力下的巖層電阻率，P₂為測量所述巖層電阻率時的壓力差，A₂、B₂以及C₂屬于所述模擬壓性應力下的電阻率校正系數(shù)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的方法，其特征在于，所述測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻，包括：

根據(jù)三軸方形夾持器、壓力泵以及電阻測量單元，測量模擬應力在不同壓力差下巖心的電阻；其中，所述壓力泵與所述三軸方形夾持器連接，用于為所述三軸方形夾持器提供圍壓和軸壓；所述電阻測量單元連接至所述三軸方形夾持器的兩端，用于測量位于所述三軸方形夾持器中的巖心的電阻。