[發(fā)明專利]制備釹鐵硼磁體的低溫?zé)Y(jié)方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201611236352.2 | 申請日： | 2016-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN106623916A | 公開（公告）日： | 2017-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 張英偉 | 申請（專利權(quán)）人： | 京磁新材料有限公司 |
| 主分類號： | B22F3/10 | 分類號： | B22F3/10;H01F41/02 |
| 代理公司： | 北京遠(yuǎn)大卓悅知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 300000 天津市*** | 國省代碼： | 天津;12 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 制備 釹鐵硼 磁體 低溫 燒結(jié) 方法 | ||
1.一種制備釹鐵硼磁體的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，包括：
在釹鐵硼生坯加熱脫氣完成后，進(jìn)行燒結(jié)之前，將釹鐵硼生坯溫度升至高出燒結(jié)目標(biāo)溫度5-15℃，并保溫1-2h。
2.如權(quán)利要求1所述的制備釹鐵硼磁體的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，所述燒結(jié)的具體步驟為：將釹鐵硼生坯溫度降至燒結(jié)目標(biāo)溫度后，保溫5-7h；所述燒結(jié)目標(biāo)溫度為1000-1100℃。
3.如權(quán)利要求1所述的制備釹鐵硼磁體的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，所述加熱脫氣的具體步驟為：將所述釹鐵硼生坯升溫到200℃-300℃，進(jìn)行保溫1-3h；然后升溫到500℃-700℃，進(jìn)行保溫1-3h；最后升溫到800℃-900℃，進(jìn)行保溫3-4h。
4.如權(quán)利要求1所述的制備釹鐵硼磁體的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，還包括：所述釹鐵硼生坯放入燒結(jié)爐中進(jìn)行加熱脫氣之前，需先將燒結(jié)爐抽真空，使得燒結(jié)爐內(nèi)中真空度達(dá)到0.5-1Pa。
5.如權(quán)利要求1所述的制備釹鐵硼磁體的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，還包括：所述釹鐵硼生坯在保護(hù)氣體條件下，整齊碼放在干燥的石墨料舟中，所述燒結(jié)爐用惰性氣體或氮?dú)獬錆M爐膛空間，使?fàn)t內(nèi)壓力為0.07-0.09MPa之后，將裝有釹鐵硼生坯的石墨料舟放入爐膛中。
6.如權(quán)利要求2所述的制備釹鐵硼磁體的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，還包括：冷卻處理：待燒結(jié)結(jié)束后，向爐內(nèi)充入0.07-0.09MPa的氮?dú)饣驓鍤膺M(jìn)行冷卻。
7.如權(quán)利要求6所述的制備釹鐵硼磁體的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，還包括：在冷卻后，進(jìn)行回火處理，具體為：在850-950℃下進(jìn)行一級回火，保溫時(shí)間為4-5h,在450-600℃下進(jìn)行二級回火，保溫時(shí)間為4-5h，得到釹鐵硼磁體。
8.如權(quán)利要求1所述的制備釹鐵硼磁體的低溫?zé)Y(jié)方法，其特征在于，包括以下步驟：
1)將釹鐵硼生坯在保護(hù)氣體條件下，整齊碼放在干燥的石墨料舟中，所述燒結(jié)爐用惰性氣體或氮?dú)獬錆M爐膛空間，使?fàn)t內(nèi)壓力為0.07-0.09MPa之后，將裝有釹鐵硼生坯的石墨料舟放入爐膛中；
2)將燒結(jié)爐抽真空，使得燒結(jié)爐內(nèi)中真空度達(dá)到0.5-1Pa；
3)啟動加熱程序進(jìn)行加熱，將所述釹鐵硼生坯升溫到200℃-300℃，進(jìn)行保溫1-3h；然后升溫到500℃-700℃，進(jìn)行保溫1-3h；最后升溫到800℃-900℃，進(jìn)行保溫3-4h；
4)繼續(xù)升溫至升至高出燒結(jié)目標(biāo)溫度5-15℃，并保溫1-2h；
5)將釹鐵硼生坯溫度降至燒結(jié)目標(biāo)溫度后，保溫5-7h；所述燒結(jié)目標(biāo)溫度為1000-1100℃；
6)燒結(jié)結(jié)束后，向爐內(nèi)充入0.07-0.09MPa的氮?dú)饣驓鍤膺M(jìn)行冷卻；
7)在冷卻后，進(jìn)行回火處理，具體為：在850-950℃下進(jìn)行一級回火，并保溫4-5h，在450-600℃下進(jìn)行二級回火，保溫時(shí)間為4-5h，得到釹鐵硼磁體。
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