[發(fā)明專利]陣列基板的制作方法及陣列基板

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• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106773401A
• 公開（公告）日: 2017-05-31
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董成才
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市威世博知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)44280
• 代理人: 鐘子敏

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種陣列基板的制作方法及陣列基板。

背景技術(shù)

在目前的LCD中，陣列基板中的掃描線12與數(shù)據(jù)線16經(jīng)常出現(xiàn)交錯(cuò)、重疊的情況(如圖1及2所示)，進(jìn)而形成電容(以中間的絕緣層為電介質(zhì)，如SiNx等)，在陣列基板制程中，掃描線12所在的第一金屬層2與數(shù)據(jù)線16所在的第二金屬層6上都會(huì)積累電荷，從而在所述第一金屬層2與所述第二金屬層6之間形成電壓，當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到電容的擊穿電壓時(shí)，會(huì)擊穿所述第一金屬層2與所述第二金屬層6之間的絕緣層，使所述第一金屬層2與所述第二金屬層6短路，造成面板功能異常，這是目前常見的一種靜電釋放。實(shí)際制程中，靜電釋放較容易在所述第一金屬層2與所述第二金屬層6之間發(fā)生，而在透明導(dǎo)電薄膜層與第一金屬層或者透明導(dǎo)電薄膜層與所述第二金屬層之間均無靜電釋放發(fā)生，因此可將掃描線12與數(shù)據(jù)線16跨線處之所述第二金屬層6替換為透明導(dǎo)電薄膜層，但透明導(dǎo)電薄膜層導(dǎo)電性遠(yuǎn)不如第二金屬層的導(dǎo)電性，用透明導(dǎo)電薄膜層代替第二金屬層的跨線可能由于走線阻值過大發(fā)生透明導(dǎo)電薄膜熔斷的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板的制作方法及陣列基板，以減少靜電釋放，防止掃描線所在的第一導(dǎo)電層與數(shù)據(jù)線所在的第二導(dǎo)電層之間發(fā)生短路。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板的制作方法，所述方法包括：

提供一基板；

在所述基板表面設(shè)置第一導(dǎo)電層，用于形成掃描線；

在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，用于形成像素電極；及

在所述透明導(dǎo)電薄膜層表面設(shè)置第二導(dǎo)電層，用于形成數(shù)據(jù)線。

其中，“在所述基板表面設(shè)置第一導(dǎo)電層，用于形成掃描線”的步驟還包括：在所述第一導(dǎo)電層上形成開關(guān)管的控制電極，所述開關(guān)管的控制電極與所述掃描線電連接。

其中，“在所述基板表面設(shè)置第一導(dǎo)電層，用于形成掃描線”與“在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，用于形成像素電極”之間還包括步驟：在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置第一絕緣層，在所述第一絕緣層表面設(shè)置半導(dǎo)體層。

其中，“在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置第一絕緣層，在所述第一絕緣層表面設(shè)置半導(dǎo)體層”的步驟包括：在所述半導(dǎo)體層上形成所述開關(guān)管的漏極及源極，所述開關(guān)管的漏極通過導(dǎo)通孔與所述透明導(dǎo)電薄膜上的像素電極電連接，所述開關(guān)管的源極通過導(dǎo)通孔與所述數(shù)據(jù)線電連接。

其中，“在所述第一絕緣層表面設(shè)置半導(dǎo)體層”的步驟還包括：在所述第一絕緣層上設(shè)置非晶硅半導(dǎo)體層，在所述非晶硅半導(dǎo)體層上設(shè)置高濃度摻雜的N型導(dǎo)電層。

其中，“在所述第一導(dǎo)電層表面設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，用于形成像素電極”與“在所述透明導(dǎo)電薄膜層表面設(shè)置第二導(dǎo)電層，用于形成數(shù)據(jù)線”之間還包括步驟：將所述開關(guān)管的溝道內(nèi)的高濃度摻雜的N型導(dǎo)電層蝕刻掉。

其中，在所述第二導(dǎo)電層表面設(shè)置有第二絕緣層。

其中，所述第一絕緣層及所述第二絕緣層的材料為氮化硅。

其中，所述透明導(dǎo)電薄膜處于懸浮狀態(tài)而不導(dǎo)電。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是：提供一種陣列基板，所述陣列基板由包括如權(quán)利要求1-9任一所述陣列基板的制作方法制成。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明的所述陣列基板制作方法及陣列基板通過在設(shè)置有掃描線的第一導(dǎo)電層與設(shè)置有數(shù)據(jù)線的第二導(dǎo)電層之間設(shè)置透明導(dǎo)電薄膜層，以減少靜電釋放的發(fā)生，進(jìn)而防止所述第一導(dǎo)電層與所述第二導(dǎo)電層之間發(fā)生短路。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有的陣列基板上的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層重疊的俯視圖；

圖2是現(xiàn)有的陣列基板上的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層重疊的截面圖；

圖3是本發(fā)明的陣列基板的制作方法的流程圖；

圖4是本發(fā)明的陣列基板上的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層重疊的俯視圖；

圖5是本發(fā)明的陣列基板上的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層重疊的截面圖。

具體實(shí)施方式

請參閱圖3至圖5，是本發(fā)明的陣列基板的制作方法的流程圖及陣列基板的第一導(dǎo)電層與第二導(dǎo)電層重疊的俯視圖及截面圖。所述陣列基板的制作方法包括：

步驟S1：提供一基板10。