[發明專利]陣列基板的制作方法及陣列基板在審
| 申請號： | 201611235857.7 | 申請日： | 2016-12-28 |
| 公開（公告）號： | CN106773401A | 公開（公告）日： | 2017-05-31 |
| 發明（設計）人： | 董成才 | 申請（專利權）人： | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號： | G02F1/1362 | 分類號： | G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙)44280 | 代理人： | 鐘子敏 |
| 地址： | 518006 廣東*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 陣列 制作方法 | ||
1.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：
提供一基板；
在所述基板表面設置第一導電層，用于形成掃描線；
在所述第一導電層表面設置透明導電薄膜層，用于形成像素電極；及
在所述透明導電薄膜層表面設置第二導電層，用于形成數據線。
2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，“在所述基板表面設置第一導電層，用于形成掃描線”的步驟還包括：在所述第一導電層上形成開關管的控制電極，所述開關管的控制電極與所述掃描線電連接。
3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，“在所述基板表面設置第一導電層，用于形成掃描線”與“在所述第一導電層表面設置透明導電薄膜層，用于形成像素電極”之間還包括步驟：在所述第一導電層表面設置第一絕緣層，在所述第一絕緣層表面設置半導體層。
4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，“在所述第一導電層表面設置第一絕緣層，在所述第一絕緣層表面設置半導體層”的步驟包括：在所述半導體層上形成所述開關管的漏極及源極，所述開關管的漏極通過導通孔與所述透明導電薄膜上的像素電極電連接，所述開關管的源極通過導通孔與所述數據線電連接。
5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，“在所述第一絕緣層表面設置半導體層”的步驟還包括：在所述第一絕緣層上設置非晶硅半導體層，在所述非晶硅半導體層上設置高濃度摻雜的N型導電層。
6.根據權利要求5所述的方法，其特征在于，“在所述第一導電層表面設置透明導電薄膜層，用于形成像素電極”與“在所述透明導電薄膜層表面設置第二導電層，用于形成數據線”之間還包括步驟：將所述開關管的溝道內的高濃度摻雜的N型導電層蝕刻掉。
7.根據權利要求3所述的方法，其特征在于，在所述第二導電層表面設置有第二絕緣層。
8.根據權利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一絕緣層及所述第二絕緣層的材料為氮化硅。
9.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述透明導電薄膜處于懸浮狀態而不導電。
10.一種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板由包括如權利要求1-9任一所述陣列基板的制作方法制成。
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