[發(fā)明專利]一種高硬度TiCrN/TiSiN納米多層結(jié)構(gòu)涂層及其制備方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611235550.7 | 申請(qǐng)日: | 2016-12-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN106756833B | 公開(公告)日: | 2019-02-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李偉;孫明達(dá) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海理工大學(xué);上海達(dá)是能源技術(shù)有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/34 | 分類號(hào): | C23C14/34;C23C14/35;C23C14/14;C23C14/06;C23C14/02 |
| 代理公司: | 上海申匯專利代理有限公司 31001 | 代理人: | 吳寶根 |
| 地址: | 200093 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 多層結(jié)構(gòu) 高硬度 制備 超聲波清洗 多層涂層 反應(yīng)濺射 基體表面 交替沉積 交替濺射 離子清洗 零件表面 摩擦磨損 拋光處理 使用壽命 涂層應(yīng)用 過渡層 沉積 模具 刀具 | ||
1.一種高硬度TiCrN/TiSiN納米多層結(jié)構(gòu)涂層,其特征在于:所述涂層由多個(gè)TiCrN層和TiSiN層構(gòu)成,所述的TiCrN層和TiSiN層依次交替沉積在基體上,靠近基體的一層為所述的TiCrN層,所述基體為金屬、硬質(zhì)合金或陶瓷中的任意一種,所述的TiCrN/TiSiN納米多層結(jié)構(gòu)涂層的總厚度為2-4μm,所述的TiSiN層厚度小于1.2nm,所述的TiCrN層和TiSiN層均為面心立方結(jié)構(gòu)。
2.權(quán)利要求1所述的一種高硬度TiCrN/TiSiN納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于包括如下步驟:
1)一個(gè)清洗基體的步驟,先將經(jīng)拋光處理后的基體送入超聲波清洗機(jī),依次在丙酮和無水酒精中利用15~30kHz的超聲波分別清洗5~10min;然后進(jìn)行離子清洗,即將基體裝進(jìn)真空室,抽真空到4×10-4Pa~8×10-4Pa后通入Ar氣,維持真空度在2-4Pa,用中頻對(duì)基體進(jìn)行為時(shí)20~40min的離子轟擊,功率為80-100W;
2)一個(gè)沉積TiCr過渡層的步驟,將離子轟擊后的基片放進(jìn)濺射室內(nèi),采用TiCr合金靶進(jìn)行反應(yīng)濺射,所述的TiCr合金靶中,Ti和Cr元素的原子比為50%:50%,通過直流電源控制合金靶,功率為120~150W,通過Ar流量為35~40sccm,沉積時(shí)間為5min;
3)一個(gè)通過多靶磁控濺射儀交替濺射TiSiN層和TiCrN層的步驟,通過轉(zhuǎn)動(dòng)基片架,讓基片依次正對(duì)TiSi靶和TiCr靶進(jìn)行反應(yīng)濺射,所述的TiSi靶中,Ti和Si素的原子比為68~84%:16~32%,所述的TiCr靶中,Ti和Cr元素的原子比為50%:50%, Ar氣流量為40sccm; N2氣流量為10sccm;基體在TiCr靶上方停留時(shí)間為20s;基體在TiSi靶上方停留時(shí)間為8s,沉積涂層的厚度為2-4μm。
3.如權(quán)利要求2所述的一種高硬度TiCrN/TiSiN納米多層結(jié)構(gòu)涂層的制備方法,其特征在于:步驟3)中,所述通過多靶磁控濺射儀濺射過程的工藝控制參數(shù)為:
直流電源控制TiCr靶,射頻電源控制TiSi靶;
TiCrN層濺射功率150W,時(shí)間20s;
TiSiN層濺射功率300W,時(shí)間8s;
靶基距為5-7cm;
總氣壓范圍0.2-0.6Pa;
濺射溫度為室溫-300℃。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





