[發明專利]一種濕法刻蝕工藝中去磷硅玻璃槽的配置方法有效
| 申請號: | 201611235160.X | 申請日: | 2016-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN106653596B | 公開(公告)日: | 2019-05-31 |
| 發明(設計)人: | 吳俊清;徐強;錢明明;樊華;蔣志強;徐建 | 申請(專利權)人: | 東方環晟光伏(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/311 | 分類號: | H01L21/311;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人: | 劉暢;徐冬濤 |
| 地址: | 214203 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 濕法 刻蝕 工藝 中去磷硅 玻璃 配置 方法 | ||
本發明公開了一種濕法刻蝕工藝中去磷硅玻璃槽的配置方法,其特征在于去磷硅玻璃槽中加入去離子水與氫氟酸、鹽酸混合液,氫氟酸的摩爾濃度為15?20%,同時通入臭氧。本發明在去磷硅玻璃槽中加入一定比例的鹽酸,加大HF的濃度,同時通入一定流量的臭氧,既可起到傳統方法中去磷硅玻璃和殘留堿的作用,又可有效去除硅片表面金屬雜質(臭氧對硅片進行氧化生成SiO2,HF再去除SiO2),這樣可有效提高電池片正面的氫鈍化和背面的鋁背場鈍化效果,從而提高電池片的轉換效率。
技術領域
本專利屬于光伏技術領域,具體涉及太陽能電池制造過程中的濕法刻蝕工藝。
背景技術
由于在全球范圍內石化能源儲量有限,且利用石化能源會產生嚴重的環境污染,所以各國政府普遍注意到各種新型清潔的可再生能源在未來能源結構中的關鍵地位,紛紛加大對這些能源產業和相關研究工作的支持力度,以便在未來的新能源領域中占有一席之地。在各種新型清潔能源中,太陽能被認為是最具發展前景的清潔能源之一。
晶硅太陽能電池片是將光能轉換為電能的器件,光電轉換效率是衡量電池片質量的重要指標之一。隨著傳統P型晶硅電池片的材料更新和工藝改進,P型電池片的轉換效率已經臨近極限,如何提高電池片的轉換效率成為光伏技術人員的一大難題。
常規濕法刻蝕工序中去磷硅玻璃槽采用的HF和去離子水的混合溶液,HF的濃度約8-12%左右,作用僅為去除擴散后電池片正面的磷硅玻璃和中和硅片表面在堿槽中殘留的氫氧根離子,硅片表面金屬雜質無法有效去除,從而電池片的轉化效率不會提高。
發明內容
本發明的目的在于提供一種新型的濕法刻蝕工序去磷硅玻璃槽的配比方法,目的在于提高硅片在濕法刻蝕工序的清洗效果,提高電池片正、背面的鈍化效果,達到提高轉換效率。
本發明的上述目的是通過以下技術措施來實施來實現的:
一種濕法刻蝕工藝中去磷硅玻璃槽的配置方法,在去磷硅玻璃槽中加入去離子水與氫氟酸、鹽酸混合液,氫氟酸的摩爾濃度為15-20%,同時通入臭氧。
優選的,鹽酸的摩爾濃度為2-5%。
優選的,臭氧的流速為40-60L/min。
作為本發明的一種實施方式,包含以下步驟:
(1)在去磷硅玻璃槽中加入去離子水,加入氫氟酸和鹽酸,氫氟酸的摩爾濃度為15-20%,鹽酸的摩爾濃度為2-5%,開啟循環,混合10分鐘;
(2)將臭氧通入循環管內,臭氧流量40-60L/min,反應前持續10分鐘以上,反應過程中保持流量20-30L/min,溫度保持在25-35℃;
(3)將擴散后的硅片放入濕法刻蝕機臺,工藝過程中在去磷硅玻璃槽中需保持0.5-2min。
作為本發明的最優實施方式,包含以下步驟:
(1)在去磷硅玻璃槽中加入去離子水,加入氫氟酸和鹽酸,氫氟酸的摩爾濃度為18%,鹽酸的摩爾濃度為4%,開啟循環,混合10分鐘;
(2)將臭氧通入循環管內,臭氧流量50L/min,反應前持續10分鐘,反應過程中保持流量25L/min,溫度保持在30℃;
(3)將擴散后的硅片放入濕法刻蝕機臺,工藝過程中在去磷硅玻璃槽中需保持1.5min。
優選的,所述臭氧由臭氧發生器制作。
本發明的有益效果:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





