[發明專利]一種濕法刻蝕工藝中去磷硅玻璃槽的配置方法

有效

• 申請號: 201611235160.X
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106653596B
• 公開（公告）日: 2019-05-31
• 發明（設計）人: 吳俊清;徐強;錢明明;樊華;蔣志強;徐建
• 申請（專利權）人: 東方環晟光伏（江蘇）有限公司
• 主分類號: H01L21/311
• 分類號: H01L21/311;H01L31/18
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 劉暢;徐冬濤

1.一種濕法刻蝕工藝中去磷硅玻璃槽的配置方法，其特征在于去磷硅玻璃槽中加入去離子水與氫氟酸、鹽酸混合液，氫氟酸的摩爾濃度為15-20％，同時通入臭氧；包含以下步驟：

(1)在去磷硅玻璃槽中加入去離子水，加入氫氟酸和鹽酸，氫氟酸的摩爾濃度為15-20％，鹽酸的摩爾濃度為2-5％，開啟循環，混合10分鐘；

(2)將臭氧通入循環管內，臭氧流量40-60L/min，反應前持續10分鐘以上，反應過程中保持流量20-30L/min，溫度保持在25-35℃；

(3)將擴散后的硅片放入濕法刻蝕機臺，工藝過程中在去磷硅玻璃槽中需保持0.5-2min。

2.根據權利要求1所述的配置方法，其特征在于包含以下步驟：

(1)在去磷硅玻璃槽中加入去離子水，加入氫氟酸和鹽酸，氫氟酸的摩爾濃度為18％，鹽酸的摩爾濃度為4％，開啟循環，混合10分鐘；

(2)將臭氧通入循環管內，臭氧流量50L/min，反應前持續10分鐘，反應過程中保持流量25L/min，溫度保持在30℃；

(3)將擴散后的硅片放入濕法刻蝕機臺，工藝過程中在去磷硅玻璃槽中需保持1.5min。

3.根據權利要求1所述的配置方法，其特征在于所述臭氧由臭氧發生器制作。