[發明專利]一種硅晶圓的正面激光內切割方法

有效

• 申請號: 201611234705.5
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106825941B
• 公開（公告）日: 2019-05-10
• 發明（設計）人: 楊秋松;李立坤;盛建雄;歐陽磊;李帥;王斐;吳佳妮
• 申請（專利權）人: 武漢光谷航天三江激光產業技術研究院有限公司
• 主分類號: B23K26/38
• 分類號: B23K26/38;H01L21/78
• 代理公司: 北京眾達德權知識產權代理有限公司 11570
• 代理人: 劉杰

本發明提供了一種硅晶圓的正面激光內切割方法，所述方法包括：將藍膜貼在所述硅晶圓背面；將所述硅晶圓正面溝道作為定位基準，對所述硅晶圓進行定位劃線；根據所述硅晶圓厚度設置所述激光的內切割焦點位置，利用所述激光沿所述定位劃線對所述硅晶圓進行切割，使得所述硅晶圓內部形成N個爆裂點；根據所述N個爆裂點將所述硅晶圓分離成單一的芯片晶粒；如此，利用激光在所述硅晶圓的正面進行切割，無需在背面制作切割定位線，減少了制作工序及操作時間；并且采用激光內切割方法對硅晶圓進行切割，避免了崩邊過大的問題，提高了芯片的收益率。

技術領域

本發明屬于激光應用技術領域，尤其涉及一種硅晶圓的正面激光內切割方法。

背景技術

硅晶圓就是指硅半導體積體電路制作所用的硅晶片。晶圓是制造IC的基本原料。集成電路(IC)是指在一半導體基板上，利用氧化、蝕刻、擴散等方法，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，做在一個微小面積上，以完成某一特定邏輯功能，達成預先設定好的電路功能要求的電路系統。

晶圓便是硅元素加以純化，接著是將這些純硅制成長硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導體的材料，經過照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圓，然后對晶圓進行切割形成一個個的晶粒。

現有技術中，在對晶圓進行切割時，切割工序復雜，耗費大量的加工時間；且崩邊過大導致芯片收益率降低。

發明內容

針對現有技術存在的問題，本發明實施例提供了一種硅晶圓的正面激光內切割方法，用于解決現有技術中對硅晶圓進行切割時，切割工序復雜且芯片收益率低的技術問題。

本發明的提供一種硅晶圓的正面激光內切割方法，所述方法包括：

將藍膜貼在所述硅晶圓背面；

將所述硅晶圓正面溝道作為定位基準，對所述硅晶圓進行定位劃線；

根據所述硅晶圓厚度設置所述激光的內切割焦點位置，利用所述激光沿所述定位劃線對所述硅晶圓進行切割，使得所述硅晶圓內部形成N個爆裂點；

根據所述N個爆裂點將所述硅晶圓分離成單一的芯片晶粒。

上述方案中，所述激光為：近紅外激光、綠色激光或紫外激光。

上述方案中，所述激光的脈沖寬度為：納秒級、皮秒級或飛秒級。

上述方案中，所述內切割焦點位于所述硅晶圓厚度的40％-60％位置處。

上述方案中，所述爆裂點的縱向長度為所述硅晶圓厚度的10％-20％。

上述方案中，所述激光的切割線寬小于10μm。

上述方案中，所述近紅外激光的波長為1064nm或1030nm。

上述方案中，所述綠色激光的波長為532nm或515nm。

上述方案中，紫外激光的波長為355nm或343nm或266nm。

上述方案中，所述硅晶圓的厚度為50-200μm。

本發明提供了一種硅晶圓的正面激光內切割方法，所述方法包括：將藍膜貼在所述硅晶圓背面；將所述硅晶圓正面溝道作為定位基準，對所述硅晶圓進行定位劃線；根據所述硅晶圓厚度設置所述激光的內切割焦點位置，利用所述激光沿所述定位劃線對所述硅晶圓進行切割，使得所述硅晶圓內部形成N個爆裂點；根據所述N個爆裂點將所述硅晶圓分離成單一的芯片晶粒；如此，利用激光在所述硅晶圓的正面進行切割，無需在背面制作切割定位線，減少了制作工序及操作時間；并且采用激光內切割方法對硅晶圓進行切割，避免了崩邊過大的問題，提高了芯片的收益率。

附圖說明