[發(fā)明專利]一種硅晶圓的正面激光內(nèi)切割方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201611234705.5 | 申請(qǐng)日： | 2016-12-28 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN106825941B | 公開（公告）日： | 2019-05-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 楊秋松;李立坤;盛建雄;歐陽磊;李帥;王斐;吳佳妮 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 武漢光谷航天三江激光產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院有限公司 |
| 主分類號(hào)： | B23K26/38 | 分類號(hào)： | B23K26/38;H01L21/78 |
| 代理公司： | 北京眾達(dá)德權(quán)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11570 | 代理人： | 劉杰 |
| 地址： | 430000 湖北省武漢市東湖*** | 國省代碼： | 湖北;42 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 硅晶圓 切割 激光 爆裂 劃線 背面 切割定位線 定位基準(zhǔn) 厚度設(shè)置 焦點(diǎn)位置 芯片晶粒 崩邊 溝道 藍(lán)膜 制作 芯片 | ||
1.一種硅晶圓的正面激光內(nèi)切割方法，其特征在于，所述方法包括：
將藍(lán)膜貼在所述硅晶圓背面；
將所述硅晶圓正面溝道作為定位基準(zhǔn)，對(duì)所述硅晶圓進(jìn)行定位劃線；
根據(jù)所述硅晶圓厚度設(shè)置所述激光的內(nèi)切割焦點(diǎn)位置，利用所述激光沿所述定位劃線對(duì)所述硅晶圓進(jìn)行切割，使得所述硅晶圓內(nèi)部形成N個(gè)爆裂點(diǎn)；
根據(jù)所述N個(gè)爆裂點(diǎn)將所述硅晶圓分離成單一的芯片晶粒；其中，
所述內(nèi)切割焦點(diǎn)位于所述硅晶圓厚度的40％-60％位置處；
所述爆裂點(diǎn)的縱向長度為所述硅晶圓厚度的10％-20％；
所述激光的切割線寬小于10μm。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光為：近紅外激光、綠色激光或紫外激光。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光的脈沖寬度為：納秒級(jí)、皮秒級(jí)或飛秒級(jí)。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述近紅外激光的波長為1064nm或1030nm。
5.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述綠色激光的波長為532nm或515nm。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，紫外激光的波長為355nm或343nm或266nm。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅晶圓的厚度為50-200μm。
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- 專利分類
B23K 釬焊或脫焊；焊接；用釬焊或焊接方法包覆或鍍敷；局部加熱切割，如火焰切割；用激光束加工
B23K26-00 用激光束加工，例如焊接，切割，打孔
B23K26-02 .工件的定位和觀測，如相對(duì)于沖擊點(diǎn)，激光束的對(duì)正，瞄準(zhǔn)或聚焦
B23K26-08 .激光束與工件具有相對(duì)運(yùn)動(dòng)的裝置
B23K26-12 .在一特殊氣氛中，例如在罩中
B23K26-14 .利用流體，如氣體的射流，與激光束相結(jié)合
B23K26-16 .排除副產(chǎn)物，例如對(duì)工件處理時(shí)產(chǎn)生的微?；蛘魵?/a>
