[發明專利]一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法

在審

• 申請號: 201611234486.0
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106847991A
• 公開（公告）日: 2017-06-13
• 發明（設計）人: 錢明明;王丹萍;蔣志強;陳克;彭彪;萬柳斌
• 申請（專利權）人: 東方環晟光伏（江蘇）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/02
• 代理公司: 南京天華專利代理有限責任公司 32218
• 代理人: 劉暢;徐冬濤

本發明公開了一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法，先將擴散后的有藍黑點的硅片或鍍膜后有白點的需要返工的硅片先用氫氟酸去除表面的擴散的氧化層或鍍膜的氮化硅層，再將去除干凈的硅片浸泡在雙氧水、氫氟酸和和水的混合液中浸泡一段時間，雙氧水會氧化硅片表面形成氧化硅，氧化硅再與氫氟酸反應，反應會去除硅片表面很薄的一層硅，可以將燒焦點去除干凈且不破壞絨面。再經過氫氟酸清洗、水洗和烘干后進行擴散、刻蝕、鍍膜和印刷燒結，制成電池片?；诒景l明的方法，不影響第一次的制絨效果，不會造成絨面不良；且硅片厚度基本沒有變化，不會增加碎片率。

技術領域

本發明屬于太陽能清洗工藝技術領域，涉及一種新的光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法。

背景技術

光伏硅片經過制絨和擴散后出現的藍黑色的污點燒焦，在經過刻蝕和鍍膜工序后會產生白色的斑點造成返工和降級，目前通常的做法是重新制絨，但重新制絨不當會造成外觀不良，片子變薄容易碎片的情況。

發明內容

本發明主要目的在于克服上述的現有方法的造成外觀不良和硅片變薄的缺點，提供一種簡單的去除擴散后的藍黑色的污點燒焦的方法。

本發明的上述目的是通過以下技術措施來實施來實現的：

一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法，光伏硅片經擴散散后有藍黑點，進一步判斷該藍黑點是否已經刻蝕和鍍膜工序變成白點；

若擴散后有藍黑點，對此類光伏硅片進行如下處理：

s101、返工片準備；

s102、去除擴散后的氧化層：采用槽式制絨機，在第一個氫氟酸槽配置5％～8％摩爾濃度的氫氟酸溶液，返工片浸泡5分鐘以上；

s103、去除藍黑點：在第二個氫氟酸槽中配置氫氟酸與雙氧水混合溶液，其中：氫氟酸的摩爾濃度為15％～20％，雙氧水的摩爾濃度為10％～12％；將步驟s102處理后的返工片在該混合溶液中浸泡15分鐘以上；本步驟通過硅片和雙氧水反應生成氧化硅，氫氟酸將生成的氧化硅清洗干凈；

s104、將步驟s103處理后的返工片放入第一個氫氟酸槽中浸泡3分鐘以上，本步驟去除表面的氧化層；

s105、水洗和烘干后得到干凈的光伏硅片；

若鍍膜后產生白點，對此類光伏硅片進行如下處理：

s201、返工片準備；

s202、去除鍍膜后的氮化硅層：采用槽式制絨機，在第一個氫氟酸槽配置15％～20％摩爾濃度的氫氟酸溶液，浸泡20分鐘以上，本步驟去除氮化硅膜，顯現出擴散后的藍黑點；

s203、去除藍黑點：在第二個氫氟酸槽中配置氫氟酸與雙氧水混合溶液，其中：氫氟酸的摩爾濃度為15％～20％，雙氧水的摩爾濃度為10％～12％；將步驟s202處理后的返工片在該混合溶液中浸泡15分鐘以上；本步驟通過硅片和雙氧水反應生成氧化硅，氫氟酸將生成的氧化硅清洗干凈；

s204、將步驟s203處理后的返工片放入第一個氫氟酸槽中浸泡3分鐘以上，本步驟去除表面的氧化層；

s205、水洗和烘干后得到干凈的光伏硅片。

優選的，步驟s102中：第一個氫氟酸槽中氫氟酸的摩爾濃度為5％，步驟s102的返工片浸泡時間為5分鐘。

優選的，步驟s103中：第二個氫氟酸槽中氫氟酸的摩爾濃度為15％，雙氧水的摩爾濃度為10％，步驟s103的返工片浸泡時間為15分鐘。

優選的，步驟s104的返工片浸泡時間為3分鐘。

優選的，步驟s202中：第一個氫氟酸槽中氫氟酸的摩爾濃度為15％，步驟s202的返工片浸泡時間為20分鐘。