[發明專利]一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法在審
| 申請號: | 201611234486.0 | 申請日: | 2016-12-28 |
| 公開(公告)號: | CN106847991A | 公開(公告)日: | 2017-06-13 |
| 發明(設計)人: | 錢明明;王丹萍;蔣志強;陳克;彭彪;萬柳斌 | 申請(專利權)人: | 東方環晟光伏(江蘇)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/02 |
| 代理公司: | 南京天華專利代理有限責任公司 32218 | 代理人: | 劉暢;徐冬濤 |
| 地址: | 214203 江蘇省*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 擴散 黑點 去除 方法 | ||
1.一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法,其特征在于光伏硅片經擴散散后有藍黑點,進一步判斷該藍黑點是否已經經過刻蝕和鍍膜工序變成白點;
若擴散后有藍黑點,對此類光伏硅片進行如下處理:
s101、返工片準備;
s102、去除擴散后的氧化層:采用槽式制絨機,在第一個氫氟酸槽配置5%~8%摩爾濃度的氫氟酸溶液,返工片浸泡5分鐘以上;
s103、去除藍黑點:在第二個氫氟酸槽中配置氫氟酸與雙氧水混合溶液,其中:氫氟酸的摩爾濃度為15%~20%,雙氧水的摩爾濃度為10%~12%;將步驟s102處理后的返工片在該混合溶液中浸泡15分鐘以上;
s104、將步驟s103處理后的返工片放入第一個氫氟酸槽中浸泡3分鐘以上;
s105、水洗和烘干后得到干凈的光伏硅片;
若鍍膜后產生白點,對此類光伏硅片進行如下處理:
s201、返工片準備;
s202、去除鍍膜后的氮化硅層:采用槽式制絨機,在第一個氫氟酸槽配置15%~20%摩爾濃度的氫氟酸溶液,浸泡20分鐘以上;
s203、去除白點:在第二個氫氟酸槽中配置氫氟酸與雙氧水混合溶液,其中:氫氟酸的摩爾濃度為15%~20%,雙氧水的摩爾濃度為10%~12%;將步驟s202處理后的返工片在該混合溶液中浸泡15分鐘以上;
s204、將步驟s203處理后的返工片放入第一個氫氟酸槽中浸泡3分鐘以上;
s205、水洗和烘干后得到干凈的光伏硅片。
2.根據權利要求1所述的一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法,其特征在于步驟s102中:第一個氫氟酸槽中氫氟酸的摩爾濃度為5%,步驟s102的返工片浸泡時間為5分鐘。
3.根據權利要求1所述的一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法,其特征在于步驟s103中:第二個氫氟酸槽中氫氟酸的摩爾濃度為15%,雙氧水的摩爾濃度為10%,步驟s103的返工片浸泡時間為15分鐘。
4.根據權利要求1所述的一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法,其特征在于步驟s104的返工片浸泡時間為3分鐘。
5.根據權利要求1所述的一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法,其特征在于步驟s202中:第一個氫氟酸槽中氫氟酸的摩爾濃度為15%,步驟s202的返工片浸泡時間為20分鐘。
6.根據權利要求1所述的一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法,其特征在于步驟s203中:第二個氫氟酸槽中氫氟酸的摩爾濃度為15%,雙氧水的摩爾濃度為10%,步驟203的返工片浸泡時間為15分鐘。
7.根據權利要求1所述的一種光伏硅片擴散后藍黑點的去除方法,其特征在于步驟s204的返工片浸泡時間為3分鐘。
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H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





