[發明專利]3G射頻功率放大器電路

在審

• 申請號: 201611234282.7
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106656074A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發明（設計）人: 錢永兵;雷良軍;何江波
• 申請（專利權）人: 無錫中普微電子有限公司
• 主分類號: H03F3/19
• 分類號: H03F3/19;H03F3/21;H03F3/45
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司32293
• 代理人: 韓鳳

技術領域

本發明涉及一種電路，尤其是一種3G射頻功率放大器電路，具體地說是3G WCDMA、CDMA單頻段的功率放大器電路，屬于射頻功率放大器的技術領域。

背景技術

現有的3G WCDMA和CDMA單頻段3cm*3cm功率放大器模塊的典型設計：一顆砷化鎵芯片提供功率放大器所需要的射頻功率；一顆CMOS芯片提供給砷化鎵芯片穩定的工作電壓值，以保證砷化鎵晶體管的工作狀態不受外界電壓源波動的影響；封裝廠把砷化鎵芯片、CMOS芯片、SMD電容電感貼在基板上，然后通過打金線或者銅線的方式把他們連接在一起，最后通過塑封料把他們封裝在一個組件(module)上做成最后的成品。

一般地，上述典型設計中，需要用到0201或者01005的SMD電容電感。SMD電容電感的作用是射頻匹配、電容濾波和射頻隔直：射頻匹配包括輸入匹配、級間匹配和輸出匹配；電容濾波主要是對電源上的低頻進行濾波以保證射頻功率放大器工作在穩定的狀態下；射頻隔直電容保證射頻信號能夠通過該通路而直流不能通過。通常射頻功率放大器中所用到的SMD電容電感是日本的murata生產，如遇到像日本地震和海嘯等自然災害會影響SMD的供應從而導致整個射頻功率放大器模塊的缺貨；另外也經常會遇到封裝廠產能緊張而導致整個射頻功率放大器模塊的缺貨。

因此，如何有效提高封裝產能，以及降低成本，是現有功率放大器封裝設計急需解決的問題。

發明內容

本發明的目的是克服現有技術中存在的不足，提供一種3G射頻功率放大器電路，其結構緊湊，能有效提高封裝產能，降低封裝成本，適應性好，安全可靠。

按照本發明提供的技術方案，所述3G射頻功率放大器電路，包括用于接收輸入信號的第一級放大結構以及用于將放大后信號輸出的第二級放大結構，第一級放大結構通過級間匹配電路與第二級放大結構連接；

第一級放大結構包括射頻放大管T1、與所述射頻放大管T1適配的輸入匹配電路以及與所述射頻放大管T1適配的放大管T1偏置電路；

第二級放大結構包括射頻放大管T2、與所述射頻放大管T2適配的輸出匹配電路以及與所述射頻放大管T2適配的放大管T2偏置電路；

所述輸入匹配電路包括與射頻放大管T1基極端連接的電阻R1，電阻R1的另一端與芯片電容C1的一端連接，芯片電容C1的另一端通過基板繞線電感L1接地，且芯片電容C1的另一端與基板繞線電感L1的一端相互連接后形成輸入端IN；

級間匹配電路包括芯片電容C4、芯片電容C3以及基板繞線電感RFC1，芯片電容C4的一端與射頻放大管T2的基極端連接，芯片電容C4的另一端與射頻放大管T1的集電極端連接，射頻放大管T1的集電極端還與基板繞線電感RCF1的一端連接，基板繞線電感RCF1的另一端與芯片電容C3的一端以及電源VCC2連接，芯片電容C3的另一端接地；

輸出匹配電路包括芯片電容C5、基板繞線電感RFC2以及基板繞線電感L2，射頻放大管T2的集電極端與基板繞線電感RFC2的一端、芯片電容C5的一端連接，基板繞線電感RFC2的另一端與電源VCC2連接，芯片電容C5的另一端與基板繞線電感L2的一端連接，基板繞線電感L2的另一端接地，且芯片電容C5與基板繞線電感L2相連的一端形成放大輸出端OUT。

所述放大管T1偏置電路包括偏置放大管T3、偏置放大管T4以及偏置放大管T5，偏置放大管T3的發射極與電阻R1的另一端、電容C1的一端連接以及電阻R4的一端連接，電阻R4的另一端與電容C2的一端連接，電容C2的另一端與射頻放大管T1的集電極連接；

偏置放大管T3的集電極端與電壓Vreg連接，偏置放大管T3的基極端與電容C6的一端、偏置放大管T5的集電極端、偏置放大管T5的基極端以及電阻R2的一端連接，電容C6的另一端與偏置放大管T4的發射極端連接后接地，偏置放大管T4的基極端與偏置放大管T4的集電極端以及偏置放大管T5的發射極端連接，電阻R2的另一端與電壓Vreg連接。

所述放大管T2偏置電路包括偏置放大管T6、偏置放大管T7以及偏置放大管T8，偏置放大管T6的發射極端與射頻放大管T2的基極端連接，偏置放大管T6的基極端與電容C7的一端、偏置放大管T8的基極端、偏置放大管T8的集電極端以及電阻R3的一端連接，電阻R3的另一端以及偏置放大管T6的集電極段均與電壓Vreg連接，電容C7的另一端與偏置放大管T7的發射極端連接后接地，偏置放大管T7的基極端與偏置放大管T7的集電極端以及偏置放大管T8的發射極端連接。