[發(fā)明專利]3G射頻功率放大器電路

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201611234282.7
• 申請日: 2016-12-28
• 公開（公告）號: CN106656074A
• 公開（公告）日: 2017-05-10
• 發(fā)明（設計）人: 錢永兵;雷良軍;何江波
• 申請（專利權）人: 無錫中普微電子有限公司
• 主分類號: H03F3/19
• 分類號: H03F3/19;H03F3/21;H03F3/45
• 代理公司: 蘇州國誠專利代理有限公司32293
• 代理人: 韓鳳

1.一種3G射頻功率放大器電路，其特征是：包括用于接收輸入信號的第一級放大結構以及用于將放大后信號輸出的第二級放大結構，第一級放大結構通過級間匹配電路與第二級放大結構連接；

第一級放大結構包括射頻放大管T1、與所述射頻放大管T1適配的輸入匹配電路以及與所述射頻放大管T1適配的放大管T1偏置電路；

第二級放大結構包括射頻放大管T2、與所述射頻放大管T2適配的輸出匹配電路以及與所述射頻放大管T2適配的放大管T2偏置電路；

所述輸入匹配電路包括與射頻放大管T1基極端連接的電阻R1，電阻R1的另一端與芯片電容C1的一端連接，芯片電容C1的另一端通過基板繞線電感L1接地，且芯片電容C1的另一端與基板繞線電感L1的一端相互連接后形成輸入端IN；

級間匹配電路包括芯片電容C4、芯片電容C3以及基板繞線電感RFC1，芯片電容C4的一端與射頻放大管T2的基極端連接，芯片電容C4的另一端與射頻放大管T1的集電極端連接，射頻放大管T1的集電極端還與基板繞線電感RCF1的一端連接，基板繞線電感RCF1的另一端與芯片電容C3的一端以及電源VCC2連接，芯片電容C3的另一端接地；

輸出匹配電路包括芯片電容C5、基板繞線電感RFC2以及基板繞線電感L2，射頻放大管T2的集電極端與基板繞線電感RFC2的一端、芯片電容C5的一端連接，基板繞線電感RFC2的另一端與電源VCC2連接，芯片電容C5的另一端與基板繞線電感L2的一端連接，基板繞線電感L2的另一端接地，且芯片電容C5與基板繞線電感L2相連的一端形成放大輸出端OUT。

2.根據(jù)權利要求1所述的3G射頻功率放大器電路，其特征是：所述放大管T1偏置電路包括偏置放大管T3、偏置放大管T4以及偏置放大管T5，偏置放大管T3的發(fā)射極與電阻R1的另一端、電容C1的一端連接以及電阻R4的一端連接，電阻R4的另一端與電容C2的一端連接，電容C2的另一端與射頻放大管T1的集電極連接；

偏置放大管T3的集電極端與電壓Vreg連接，偏置放大管T3的基極端與電容C6的一端、偏置放大管T5的集電極端、偏置放大管T5的基極端以及電阻R2的一端連接，電容C6的另一端與偏置放大管T4的發(fā)射極端連接后接地，偏置放大管T4的基極端與偏置放大管T4的集電極端以及偏置放大管T5的發(fā)射極端連接，電阻R2的另一端與電壓Vreg連接。

3.根據(jù)權利要求1所述的3G射頻功率放大器電路，其特征是：所述放大管T2偏置電路包括偏置放大管T6、偏置放大管T7以及偏置放大管T8，偏置放大管T6的發(fā)射極端與射頻放大管T2的基極端連接，偏置放大管T6的基極端與電容C7的一端、偏置放大管T8的基極端、偏置放大管T8的集電極端以及電阻R3的一端連接，電阻R3的另一端以及偏置放大管T6的集電極段均與電壓Vreg連接，電容C7的另一端與偏置放大管T7的發(fā)射極端連接后接地，偏置放大管T7的基極端與偏置放大管T7的集電極端以及偏置放大管T8的發(fā)射極端連接。