[發明專利]一種通過高能電子輻照促進等規聚1-丁烯晶型II-I轉變的方法在審
| 申請號： | 201611227314.0 | 申請日： | 2016-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN108239294A | 公開（公告）日： | 2018-07-03 |
| 發明（設計）人： | 李景慶;蔡曉倩;蔣世春;尚英瑞 | 申請（專利權）人： | 天津大學 |
| 主分類號： | C08J3/28 | 分類號： | C08J3/28;C08L23/20 |
| 代理公司： | 天津創智天誠知識產權代理事務所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 高能電子輻照 聚1 -丁烯 等規 晶型II 共聚 丁烯 晶型 均聚 高能電子輻射 工藝過程 施加力 | ||
1.一種通過高能電子輻照促進等規聚1-丁烯晶型II-I轉變的方法，其特征在于，對I晶型的等規聚1-丁烯進行高能電子輻照，等規聚1-丁烯為1-丁烯的均聚物。
2.根據權利要求1所述的一種通過高能電子輻照促進等規聚1-丁烯晶型II-I轉變的方法，其特征在于，高能電子輻照劑量為50—350KGy，優選150—300KGy，更加優選180—260KGy。
3.根據權利要求1或者2所述的一種通過高能電子輻照促進等規聚1-丁烯晶型II-I轉變的方法，其特征在于，I晶型的等規聚1-丁烯由均聚iP-1-B熔體模壓成型制備，模壓溫度為170-180℃，在預熱5—10min后，加壓至20—25MPa，保持3—5min后，在20—25MPa下冷壓8—10min，將得到的片狀樣品在室溫20—25攝氏度下長時間放置，以使II晶轉變為I晶。
4.根據權利要求3所述的一種通過高能電子輻照促進等規聚1-丁烯晶型II-I轉變的方法，其特征在于，放置時間為20—30天。
5.根據權利要求1或者2所述的一種通過高能電子輻照促進等規聚1-丁烯晶型II-I轉變的方法，其特征在于，經高能電子輻照后I晶型的等規聚1-丁烯以3—5℃/min升溫至180—220℃并保溫3—5min，使其含有的I晶全部熔融，然后以10—15℃/min降溫到室溫結晶形成II晶，用X射線衍射觀察iP-1-B晶型II-I轉變行為。
6.高能電子輻照在促進等規聚1-丁烯晶型II-I轉變中的應用，其特征在于，對I晶型的等規聚1-丁烯進行高能電子輻照，等規聚1-丁烯為1-丁烯的均聚物。
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