[發明專利]一種去除基片刻蝕后殘余物的方法及裝置

在審

• 申請號: 201611224578.0
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN108242388A
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 陳波;李楠;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;B08B3/08;B08B3/10
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種去除基片刻蝕后殘余物的方法及裝置。所述方法包括如下步驟：將待清洗的基片放置于工藝處理腔內的樣品臺上，所述基片在樣品臺的轉動下進行旋轉；將氫氟酸、二氧化碳和去離子水溶液組成的化學液，或由硫酸、氫氟酸、二氧化碳和去離子水溶液組成的化學液噴灑在所述基片的表面，所述化學液在所述基片的表面形成一層均勻的液體薄膜；在向所述基片的表面噴灑所述化學液的同時，向所述工藝處理腔中導入臭氧，與所述基片的表面的殘余物反應，清潔所述基片。本發明在保護半導體基片表面銅結構或鋁結構的同時，可有效去除等離子體刻蝕后基片表面產生的殘余物。

技術領域

本發明涉及半導體制造技術領域，具體涉及一種去除基片刻蝕后殘余物的方法及裝置。

背景技術

在制備微電子或其他類似器件過程中，基片通過刻蝕形成所需的特征和圖形?？涛g工藝一般采取液體化學液、反應氣體和等離子體。刻蝕后基片表面會產生殘留物和有機高分子聚合體。為防止最終器件的良率下降，刻蝕后產生的殘余物和高聚體必須在下一段工藝開始前去除。去除這些殘余物通常是利用酸和氧化劑的液態混和液，然而現有的這些方法并不能有效的完全去除這些殘余物。

發明內容

本發明的目的在于提供一種去除基片刻蝕后殘余物的方法，能夠有效去除等離子體刻蝕后基片表面產生的殘余物。

本發明的另一目的在于提供一種去除基片刻蝕后殘余物的裝置。

為了達到上述目的，本發明采用的技術方案為：

一種去除基片刻蝕后殘余物的方法，所述方法包括如下步驟：

將待清洗的基片放置于工藝處理腔內的樣品臺上，所述基片在樣品臺的轉動下進行旋轉；

將氫氟酸、二氧化碳和去離子水溶液組成的化學液噴灑在所述基片的表面，所述化學液在所述基片的表面形成一層均勻的液體薄膜；

在向所述基片的表面噴灑所述化學液的同時，向所述工藝處理腔中導入臭氧，與所述基片的表面的殘余物反應，清潔所述基片。

上述方案中，所述氫氟酸濃度為體積比1：300～1：3000，所述化學液溫度為10～50℃。

上述方案中，所述臭氧的濃度為30g/m³～300g/m³。

一種去除基片刻蝕后殘余物的方法，所述方法包括如下步驟：

將待清洗的基片放置于工藝處理腔內的樣品臺上，所述基片在樣品臺的轉動下進行旋轉；

將硫酸、氫氟酸、二氧化碳和去離子水溶液組成的化學液噴灑在所述基片的表面，所述化學液在所述基片的表面形成一層均勻的液體薄膜；

在向所述基片的表面噴灑所述化學液的同時，向所述工藝處理腔中導入臭氧，與所述基片的表面的殘余物反應，清潔所述基片。

上述方案中，所述硫酸濃度為體積比3～15％，所述氫氟酸濃度為質量比0～500PPM，所述化學液溫度為15～45℃。

上述方案中，所述臭氧的濃度為30g/m³～300g/m³。

一種去除基片刻蝕后殘余物的裝置，所述裝置包括：

樣品臺，所述樣品臺用于放置待清洗的基片，并可帶動所述基片旋轉；

工藝處理腔，所述樣品臺位于所述工藝處理腔內；

化學液桶，所述化學液桶上設有氣體注入口和液體注入口，所述化學液桶用于盛放清洗所述基片的化學液；

二氧化碳擴散器，所述二氧化碳擴散器設置在所述化學藥桶內，與所述氣體注入口相連；