[發明專利]一種去除基片刻蝕后殘余物的方法及裝置

在審

• 申請號: 201611224578.0
• 申請日: 2016-12-27
• 公開（公告）號: CN108242388A
• 公開（公告）日: 2018-07-03
• 發明（設計）人: 陳波;李楠;夏洋
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/67;B08B3/08;B08B3/10
• 代理公司: 北京華沛德權律師事務所 11302
• 代理人: 房德權

1.一種去除基片刻蝕后殘余物的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

將待清洗的基片放置于工藝處理腔內的樣品臺上，所述基片在樣品臺的轉動下進行旋轉；

將氫氟酸、二氧化碳和去離子水溶液組成的化學液噴灑在所述基片的表面，所述化學液在所述基片的表面形成一層均勻的液體薄膜；

在向所述基片的表面噴灑所述化學液的同時，向所述工藝處理腔中導入臭氧，與所述基片的表面的殘余物反應，清潔所述基片。

2.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述氫氟酸濃度為體積比1：300～1：3000，所述化學液溫度為10～50℃。

3.如權利要求1所述的方法，其特征在于：所述臭氧的濃度為30g/m³～300g/m³。

4.一種去除基片刻蝕后殘余物的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

將待清洗的基片放置于工藝處理腔內的樣品臺上，所述基片在樣品臺的轉動下進行旋轉；

將硫酸、氫氟酸、二氧化碳和去離子水溶液組成的化學液噴灑在所述基片的表面，所述化學液在所述基片的表面形成一層均勻的液體薄膜；

在向所述基片的表面噴灑所述化學液的同時，向所述工藝處理腔中導入臭氧，與所述基片的表面的殘余物反應，清潔所述基片。

5.如權利要求4所述的方法，其特征在于：所述硫酸濃度為體積比3～15％，所述氫氟酸濃度為質量比0～500PPM，所述化學液溫度為15～45℃。

6.如權利要求4所述的方法，其特征在于：所述臭氧的濃度為30g/m³～300g/m³。

7.一種去除基片刻蝕后殘余物的裝置，其特征在于，所述裝置包括：

樣品臺，所述樣品臺用于放置待清洗的基片，并可帶動所述基片旋轉；

工藝處理腔，所述樣品臺位于所述工藝處理腔內；

化學液桶，所述化學液桶上設有氣體注入口和液體注入口，所述化學液桶用于盛放清洗所述基片的化學液；

二氧化碳擴散器，所述二氧化碳擴散器設置在所述化學藥桶內，與所述氣體注入口相連；

噴嘴，所述噴嘴通過管路與所述化學液桶相連，所述噴嘴設置在所述工藝處理腔的頂部，用于向所述工藝處理腔內的所述基片表面噴灑化學液；

加熱器，所述加熱器設置在所述噴嘴與所述化學液桶之間的管路上，用于將所述化學液桶內的化學液加熱；

臭氧發生器，用于產生臭氧；

臭氧噴嘴，所述臭氧噴嘴通過管路與所述臭氧發生器相連，所述臭氧噴嘴設置在所述工藝處理腔的側壁上，用于向所述工藝處理腔內噴入臭氧。

8.如權利要求7所述的裝置，其特征在于：所述工藝處理腔底部設有化學液收集口，所述化學液收集口通過管路與所述化學液桶相連。

9.如權利要求7所述的裝置，其特征在于：所述加熱器與所述噴嘴之間的管路上設有分流閥，所述分流閥通過管路與所述化學液桶相連。

10.如權利要求7所述的裝置，其特征在于：所述裝置還包括真空泵，所述真空泵與所述工藝處理腔相連，使所述工藝處理腔內形成負壓。